[发明专利]像素阵列、显示面板、液晶显示器和像素阵列的驱动方法有效
申请号: | 201010582890.3 | 申请日: | 2010-12-10 |
公开(公告)号: | CN102540594A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 马骏;吴勇;罗熙曦 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133;H01L27/02;G02F1/136 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 显示 面板 液晶显示器 驱动 方法 | ||
1.一种像素阵列,所述像素阵列形成于一基板上,其特征在于,所述像素阵列中的每个像素单元包括:一条扫描线、两条数据线、两个薄膜晶体管TFT、像素电极层和侧向电场层;两个TFT的栅极均与扫描线电连接,其中一个TFT的源漏极电连接于像素电极层和其中一条数据线之间,另一个TFT的源漏极电连接于侧向电场层和另一条数据线之间;侧向电场层与像素电极层之间设置一绝缘层,侧向电场层在与像素电极层的重叠区域具有透光的第一开口,侧向电场层采用反光的导电材料。
2.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述每个像素单元的两条数据线位于所述像素单元正对的两侧,所述一条扫描线与所述两条数据线垂直相交定义所述像素单元的像素区域。
3.如权利要求2所述的像素阵列,其特征在于,所述像素阵列还包括第一绝缘层,所述扫描线与所述数据线位于所述第一绝缘层两侧。
4.如权利要求3所述的像素阵列,其特征在于,所述扫描线上的第一绝缘层上形成有非晶硅层,则所述两个TFT的源漏极均通过非晶硅层和第一绝缘层与作为栅极的扫描线绝缘。
5.如权利要求4所述的像素阵列,其特征在于,所述两条数据线分别为相互平行且绝缘的第一数据线和第二数据线;所述两个TFT分别为第一TFT和第二TFT,第一TFT的源漏极包括第一电极和第二电极,第二TFT的源漏极包括第三电极和第四电极,其中,第一电极为源极/漏极,第二电极为与第一电极相对应的漏极/源极,第三电极为源极/漏极,第四电极为与第三电极相对应的漏极/源极;第一数据线、第二数据线、第一电极、第二电极、第三电极和第四电极都位于非晶硅层和第一绝缘层之上的源漏金属层。
6.如权利要求5所述的像素阵列,其特征在于,所述像素阵列还包括第二绝缘层,所述源漏金属层与所述像素电极层位于所述第二绝缘层两侧;第一电极与第一数据线电连接,第二电极通过第二绝缘层中的过孔与像素电极层电连接;像素电极层与侧向电场层之间的绝缘层为第三绝缘层,第三电极与第二数据线电连接,第四电极通过贯穿第二绝缘层和第三绝缘层的过孔与侧向电场层电连接。
7.如权利要求6所述的像素阵列,其特征在于,第一绝缘层和第二绝缘层均覆盖整个像素阵列。
8.如权利要求1-7中的任一项所述的像素阵列,其特征在于,所述侧向电场层与所述像素电极层之间的绝缘层还具有与第一开口对应的第二开口。
9.如权利要求8所述的像素阵列,其特征在于,所述侧向电场层与所述像素电极层之间的绝缘层为有机绝缘层。
10.如权利要求9所述的像素阵列,其特征在于,所述有机绝缘层的厚度为1.5~2微米。
11.如权利要求9所述的像素阵列,其特征在于,所述有机绝缘层的材料为光刻胶。
12.如权利要求1-7中的任一项所述的像素阵列,其特征在于,所述侧向电场层与所述像素电极层之间的绝缘层为氮化硅层。
13.如权利要求1-7中的任一项所述的像素阵列,其特征在于,所述侧向电场层与所述像素电极层之间的绝缘层具有起伏的表面轮廓。
14.如权利要求1-7中的任一项所述的像素阵列,其特征在于,所述反光的导电材料为金属材料。
15.如权利要求14所述的像素阵列,其特征在于,所述金属材料为铝。
16.如权利要求1-7中的任一项所述的像素阵列,其特征在于,每个像素单元还包括用于形成像素存储电容的公共电极,该公共电极与扫描线位于同一层。
17.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括形成有如权利要求1-16中的任一项所述像素阵列的第一基板,具有导电层的第二基板,以及夹持于第一基板和第二基板之间的液晶层,第一基板带有像素阵列的一面与第二基板带有导电层的一面相对。
18.如权利要求17所述的显示面板,其特征在于,所述液晶层为负介电常数的液晶层。
19.一种液晶显示器,其特征在于,所述液晶显示器包括如权利要求17或18所述的显示面板。
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