[发明专利]一种新型氮化镓LED芯片电极结构的制作方法

权利要求书

1.一种新型氮化镓LED芯片电极结构的制作方法，其特征在于，所述方法的步骤为：

取一片通过MOCVD方法在兰宝石基板上生长有氮化镓外延层的外延片，按所设计的芯片电极结构采用干法刻蚀的手段有选择性地刻蚀去除外延层中的P型层，裸露出N型外延层；

在外延片的P型外延层表面形成ITO扩散层与P型层的欧姆接触，运用激光打孔技术在裸露的N型外延层区域打孔，打孔方向与外延片表面垂直，孔深在80-150um之间，孔的直径在30-60um之间；

将完成打孔操作的外延片减薄至80-120um，使上一步所打的孔成为连通基板表面与N型区的通孔；

利用真空镀膜技术在外延层表面首先蒸镀一层Cr，再蒸镀一层Au，利用光刻、蚀刻技术形成所需的LED的焊线电极；

完成外延层表面的电极制作后，在减薄后的基板表面沉淀一层AL金属层，形成LED芯片的反射镜；

完成以上操作后，将外延片分割开即形成可直接封装应用的LED芯片。

2.根据权利要求1所述的一种新型氮化镓LED芯片电极结构的制作方法，其特征在于，所述外延层金属镀膜会沉淀至通孔的内侧面，形成基板面与N型外延层的电流通路。

3.根据权利要求1所述的一种新型氮化镓LED芯片电极结构的制作方法，其特征在于，所述基板表面沉淀的一层AL金属层，会在镀膜时沉淀附着在通孔的内侧面，加强了通孔内侧面的电流连接通路的牢固性。