[发明专利]阵列基板及其制造方法和检测方法、液晶面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，至少包括在像素区域形成TFT图案并对应地在测试区域形成TFT测试图案的步骤，其特征在于，在形成钝化层之前，还包括：去除所述TFT测试图案中测试线引线上方的栅绝缘层薄膜的步骤。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成钝化层之前，还包括：去除所述TFT测试图案中测试线引线上方的栅绝缘层薄膜的步骤，具体为：

在形成TFT沟道之前，去除所述测试区域中覆盖在栅线引线上方的栅绝缘层薄膜的步骤。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成钝化层之前，还包括：去除所述TFT测试图案中测试线引线上方的栅绝缘层薄膜的步骤，具体为：

在形成TFT沟道之后且形成钝化层之前，去除所述测试区域中覆盖在数据线引线上方的栅绝缘层薄膜的步骤。

4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，去除所述TFT测试图案中测试线引线上方的栅绝缘层薄膜的步骤具体为：利用光刻胶的高度差，采用离地剥离工艺去除所述测试线引线上方的栅绝缘层薄膜。

5.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，去除覆盖在栅线引线上方的栅绝缘层薄膜的步骤，具体包括：

在衬底基板的像素区域和测试区域上形成栅金属薄膜，在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括第一厚度区域、第二厚度区域和完全去除区域的光刻胶图案，所述第一厚度区域的光刻胶图案位于像素区域的栅线位置上方、测试区域的栅线位置上方，所述第二厚度区域的光刻胶图案位于像素区域的栅线引线上方和测试区域的栅线引线上方，且第一厚度小于第二厚度；

进行第一次刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的栅金属薄膜，在像素区域形成包括栅线和栅线引线的图案，在测试区域形成包括栅线和栅线引线的图案，并按照第一厚度灰化去除光刻胶；

在形成上述图案的衬底基板的像素区域和测试区域上连续沉积栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜，并剥离像素区域的栅线引线上方以及测试区域的栅线引线上方的光刻胶；

在形成上述图案的衬底基板的像素区域和测试区域上涂覆光刻胶，并采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括第三厚度区域、第四厚度区域和完全去除区域的光刻胶图案，所述第三厚度区域的光刻胶图案位于像素区域的源漏电极区域和栅线引线上方以及测试区域的源漏电极区域和栅线引线上方，所述第四厚度区域的光刻胶图案位于像素区域的沟道区域上方以及测试区域的沟道区域上方，且第四厚度小于第三厚度；

进行第二次刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜，并按照第四厚度灰化去除光刻胶；进行第三次刻蚀，刻蚀掉所述像素区域的沟道区域和所述测试区域的沟道区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体层薄膜和部分半导体层薄膜，形成像素区域的TFT沟道和测试区域的TFT沟道；并将所述像素区域的源漏电极上方的光刻胶和栅线引线上方的光刻胶、所述测试区域的源漏电极上方的光刻胶以及栅极引线上方的光刻胶剥离；

在形成上述图案的衬底基板上通过光刻工艺形成像素电极和保护层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成上述图案的衬底基板上通过光刻工艺形成像素电极和保护层，包括：

在形成上述图案的衬底基板上沉积钝化层，并在所述像素区域形成钝化层过孔；

在形成上述图案的衬底基板上沉积透明电极层，在所述透明电极层上涂覆光刻胶，采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成位于像素区域的像素电极上方的光刻胶图案；

进行第四次刻蚀，在所述像素区域形成像素电极的图案。

7.一种阵列基板，包括像素区域和测试区域，其特征在于，所述测试区域的测试线引线的上方与钝化层接触。

8.一种液晶面板，包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，其间填充有液晶层，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求7所述的阵列基板的结构。

9.一种阵列基板的检测方法，其特征在于，所述方法在形成TFT测试沟道且去除测试区域的TFT测试图案中测试线引线上方的栅绝缘层薄膜之后，对所述TFT测试图案的电特性进行检测处理。