[发明专利]太阳能接收器的盖板玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能接收器的盖板玻璃，包括钢化低铁浮法玻璃基体(1)，其特征在于，在所述基体(1)表面镀有SiO₂膜层(2)，在所述SiO₂膜层(2)的表面镀有TiO₂膜层(3)。

2.根据权利要求1所述的太阳能接收器的盖板玻璃，其特征在于，所述SiO₂膜层(2)和TiO₂膜层(3)各有1层或2层或3层或4层，且所述SiO₂膜层(2)和TiO₂膜层(3)由内至外依次交替布置。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能接收器的盖板玻璃，其特征在于，镀在所述基体(1)表面的SiO₂膜层(2)的厚度在100～120nm范围内，镀在最外面一层的TiO₂膜层(3)的厚度在80～120nm范围内，其余的SiO₂膜层(2)的厚度在15～25nm范围内，其余的TiO₂膜层(3)的厚度在5～15nm范围内。

4.一种制备如权利要求1所述的太阳能接收器的盖板玻璃的方法，以钢化低铁浮法玻璃为制备基体(1)，其特征在于，采用具有PEM等离子体发射监控器的设有Si靶和Ti靶的中频反应磁控溅射镀膜机为制备设备，依次包括以下步骤：

a、基体表面清洗；对所述基体(1)表面实施清洗、烘干；

b、基体表面二次清洗；所述二次清洗是在所述镀膜机的真空镀膜室内，在抽真空和有保护气体条件下，给经a步骤处理的基体(1)通直流电，轰击基体(1)表面，去除基体(1)表面残存的杂质及附着的气体。

c、镀所述SiO₂膜层(2)；紧接b步骤，待真空镀膜室内达到本底真空度后，通入工作气体Ar和反应气体O₂，打开硅靶电源并调节至工作电流，开始镀SiO₂减反射膜层(2)，直至所述SiO₂膜层(2)达到所需厚度后，关闭硅靶电源；

d、镀所述TiO₂膜层(3)；紧接c步骤，待真空镀膜室内达到本底真空度后，通入工作气体Ar及反应气体O₂，打开Ti靶电源并调节至工作电流，开始在所述SiO₂膜层(2)的表面镀所述TiO₂膜层(3)，直至TiO₂膜层(3)达到所需厚度后，关闭Ti靶电源；当所述SiO₂膜层(2)和TiO₂膜层(3)有多层时，则所述镀SiO₂膜层(2)和镀TiO₂膜层(3)交替进行；

e、退火处理；将经d步骤镀膜的制件，在450～550℃温度范围内，保温1～2h，然后随炉冷却实施退火处理，令TiO₂发生相变，使之转变为与水具有更强亲和力的锐钛矿相。

5.根据权利要求4所述的太阳能接收器的盖板玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤b二次清洗的保护气体为Ar气，其真空度为0.1～20Pa。

6.根据权利要求4所述的太阳能接收器的盖板玻璃的制备方法，其特征在于，所述c步骤镀SiO₂膜层(2)和d步骤镀TiO₂膜层(3)的电压在350～700V范围内，其电流在30～50A范围内。

7.根据权利要求4所述的太阳能接收器的盖板玻璃的制备方法，其特征在于，所述c步骤镀SiO₂膜层(2)和d步骤镀TiO₂膜层(3)的真空镀膜室内的本底真空度为6×10^-3Pa。

8.根据权利要求4所述的太阳能接收器的盖板玻璃的制备方法，其特征在于，所述c步骤镀SiO₂膜层(2)和d步骤镀TiO₂膜层(3)，是在2个隔开的真空膜室内依次进行的，且Si靶和Ti靶分别置于2个隔开的真空镀膜室内。