[发明专利]一种等离子体辐射引发接枝制备荷负电纳滤膜的方法

权利要求书

1.一种等离子体辐射引发接枝制备荷负电纳滤膜的方法，其特征在于包含如下步骤：

a)将基膜在15℃～50℃的温度下干燥1h～4h，然后置于低温等离子体中辐照，照射时间为10s～120s，照射功率为30w～60w，真空度为30kPa～50kPa。

b)向溶剂中加入含有磺酸基的单体和交联剂，搅拌使其充分溶解，得到单体的质量百分比浓度为3％～30％，交联剂的质量百分比浓度为0.05％～2％的混合溶液A。将步骤a)活化过的基膜浸泡在溶液A中10min～150min，取出后在15℃～50℃的温度下干燥1h～4h。

c)将步骤b)得到的浸渍膜置于低温等离子体中辐照，照射时间为20s～120s，照射功率为30w～60w，真空度30kPa～50kPa。辐照后用去离子水浸泡12h～24h除去未反应的单体即得所述的荷负电纳滤膜。

2.根据权利要求1所述的一种等离子体辐射引发接枝制备荷负电纳滤膜的方法，其特征在于需先用低温等离子体对基膜进行辐照活化，增加基膜的表面能，提高亲水性能。

3.根据权利要求1所述的一种等离子体辐射引发接枝制备荷负电纳滤膜的方法，其特征在于基膜为截留分子量为6,000～20,000的聚砜或者聚偏氟乙烯超滤膜中的一种，可以为平板膜或中空纤维膜。

4.根据权利要求1所述的一种等离子体辐射引发接枝制备荷负电纳滤膜的方法，其特征在于含有磺酸基的单体可以为2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、对苯乙烯磺酸钠或烯丙基磺酸钠。

5.根据权利要求1所述的一种等离子体辐射引发接枝制备荷负电纳滤膜的方法，其特征在于交联剂可以为三烯丙基异三聚氰酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三烯丙基氰脲酯或二乙烯苯。