[发明专利]固态成像设备和电子设备有效
| 申请号： | 201010574509.9 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102082158A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤公彦;饭塚哲也 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 成像 设备 电子设备 | ||
1.一种固态成像设备，具有多个像素，每个像素具有光电转换部分，并且所述多个像素一维排列或排列在二维矩阵之中，所述固态成像设备包括：
外围配线部分，具有多层结构，所述外围配线部分提供在所述多个像素的每个之中的光电转换部分的周围的至少一部分；
光屏蔽层间连接材料，提供给外围配线部分的至少一部分，用于将多层结构中的层彼此连接，
其中，所述层间连接材料具有反射或吸收性质。
2.根据权利要求1的固态成像设备，其中，
所述外围配线部分提供在所述光电转换部分和邻接像素的光电转换部分之间。
3.根据权利要求1的固态成像设备，其中，
所述外围配线部分提供在光电转换部分周围的多个位置的每个之中。
4.根据权利要求1的固态成像设备，其中，
多个所述层间连接材料提供给外围配线部分。
5.根据权利要求1的固态成像设备，其中，
所述外围配线部分包括放大电路部分，用以转换和传输在光电转换部分中产生的电荷。
6.根据权利要求1的固态成像设备，其中，
所述层间连接材料和所述外围配线部分中的至少一个以具体电势接地。
7.根据权利要求1的固态成像设备，其中，
所述层间连接材料关于二维矩阵来线性地提供。
8.根据权利要求1的固态成像设备，其中，
所述像素的每个被提供具有二维矩阵中的多边形形状；以及
所述层间连接材料的长度小于二维矩阵中多边形形状的最长边的长度。
9.根据权利要求1的固态成像设备，其中，
所述像素的每个被提供具有二维矩阵中的多边形形状；以及
所述层间连接材料的长度小于二维矩阵中多边形形状的最长对角线的长度。
10.一种包括固态成像设备的电子设备，所述固态成像设备具有多个像素，每个像素具有光电转换部分，并且所述多个像素一维排列或排列在二维矩阵之中，所述固态成像设备包括：
外围配线部分，具有多层结构，所述外围配线部分提供在所述多个像素的每个之中的光电转换部分的周围的至少一部分；
光屏蔽层间连接材料，提供给外围配线部分的至少一部分，用于将多层结构中的层彼此连接，
其中，所述层间连接材料具有反射或吸收性质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
