[发明专利]绝缘栅双极型功率管及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型功率管，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括衬底和所述衬底上的外延层；

位于所述外延层内的阱区；

位于所述阱区和外延层交接处的栅氧化层和多晶硅栅；

位于所述外延层内的集电极漂移区和位于所述阱区内的发射极漂移区；

所述集电极漂移区上形成的集电极、所述发射极漂移区上形成的发射极和所述多晶硅栅上形成的栅极。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型功率管，其特征在于：

所述集电极漂移区和发射极漂移区分别位于所述栅氧化层的两侧。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型功率管，其特征在于：

所述外延层为N型掺杂，所述衬底为P型掺杂，所述阱区为P型掺杂，所述集电极漂移区为P型掺杂，所述发射极漂移区为N型掺杂。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型功率管，其特征在于，还包括：

缓冲层，位于所述外延层内，且位于所述集电极漂移区外围。

5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型功率管，其特征在于：

所述缓冲区为N型掺杂。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型功率管，其特征在于：

所述发射极漂移区和所述栅氧化层存在部分交接。

7.一种绝缘栅双极型功率管制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底和所述衬底上的外延层；

在所述外延层内形成阱区；

在所述阱区和外延层的交接处形成栅氧化层和多晶硅栅；

在所述外延层内形成集电极漂移区，在所述阱区内形成发射极漂移区；

在所述集电极漂移区、发射极漂移区和多晶硅栅上分别进行金属接触形成集电极、发射极和栅极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：

所述集电极漂移区和发射极漂移区分别形成于所述栅氧化层的两侧。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述外延层内形成集电极漂移区之前，还包括：

在所述阱区内形成缓冲区；

在所述外延层内形成集电极漂移区，具体为：

在所述外延层的缓冲区内形成集电极漂移区。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：

所述外延层为N型掺杂，所述衬底为P型掺杂，所述阱区为P型掺杂，所述集电极漂移区为P型掺杂，所述发射极漂移区为N型掺杂。