[发明专利]半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光器芯片，包括：

基板，包括一个主表面和与该一个主表面相反的另一个主表面；

半导体层，形成在所述基板的所述一个主表面上；

光波导，形成在所述半导体层中；

第一金属层，形成在所述基板的所述另一个主表面上；以及

第一切口部分，形成在包括所述基板的区域中且沿所述光波导行进，

其中，所述第一切口部分包括至少部分地覆盖有第二金属层的切口表面，该第二金属层与所述第一金属层接触。

2.如权利要求1所述的半导体激光器芯片，还包括沿所述光波导延伸的侧面，

其中所述第一切口部分形成在所述侧面中。

3.如权利要求2所述的半导体激光器芯片，

其中所述基板和所述半导体层包括彼此相对的一对所述侧面，且

其中一个第一切口部分形成在一对所述侧面的每个中。

4.如权利要求1所述的半导体激光器芯片，其中所述半导体层包括氮化物半导体层。

5.如权利要求1所述的半导体激光器芯片，其中所述第一切口部分的切口表面包括相对于所述基板的法线方向倾斜的斜面。

6.如权利要求1所述的半导体激光器芯片，其中所述第一切口部分的切口表面包括相对于所述基板的法线方向倾斜7°或更小的角度的斜面。

7.如权利要求1所述的半导体激光器芯片，其中所述第一切口部分具有从所述基板的所述另一个主表面沿所述基板的厚度方向的深度，该深度为所述基板和所述半导体层的合计厚度的10％或更多且小于50％。

8.如权利要求1所述的半导体激光器芯片，还包括正交于所述光波导的镜面，

其中所述镜面具有形成在所述基板侧的第二切口部分，且

其中通过延伸所述第一金属层，所述第一金属层也形成在所述第二切口部分上。

9.如权利要求1所述的半导体激光器芯片，还包括沿所述光波导延伸的各侧面，

其中所述光波导没有位于所述半导体层的中心而是更靠近所述侧面之

10.如权利要求1所述的半导体激光器芯片，其中所述第一金属层和所述第二金属层由相同的金属材料形成。

11.如权利要求1所述的半导体激光器芯片，其中所述第一金属层和所述第二金属层由不同的金属材料形成。

12.一种半导体激光装置，包括如权利要求1至11中任一项所述的半导体激光器芯片，

其中所述半导体激光器芯片直到所述第一切口部分的切口表面嵌入散热材料中。

13.如权利要求12所述的半导体激光装置，还包括散热基底，所述半导体激光器芯片安装在该散热基底上，

其中所述半导体激光器芯片经由所述散热材料结向上地固定在所述散热基底上。

14.如权利要求13所述的半导体激光装置，

其中所述散热基底包括具有底表面和侧壁的台阶部分，以及

其中通过将所述半导体激光器芯片固定到所述台阶部分的底表面，至少形成在所述切口表面之一上的所述第二金属层经由所述散热材料热接触所述侧壁。

15.如权利要求13所述的半导体激光装置，其中所述散热基底包括副底座。

16.如权利要求12所述的半导体激光装置，其中所述散热材料包括焊料。

17.一种半导体激光器芯片的制造方法，包括：

在基板的前表面上生长氮化物半导体层；

在所述氮化物半导体层中形成电流通路部分；

在所述基板的背表面中形成沟槽部分，以平行于所述电流通路部分行进；

在所述基板的包括所述沟槽部分的至少一部分侧面的背表面上形成金属层；以及

沿所述沟槽部分分割所述基板，

其中形成所述沟槽部分包括通过激光划片形成沟槽。

18.如权利要求17所述的半导体激光器芯片的制造方法，其中形成所述金属层包括通过溅射形成所述金属层。

19.如权利要求17所述的半导体激光器芯片的制造方法，还包括在形成所述金属层后在所述金属层上形成镀覆层。