[发明专利]基于阳极键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法无效
申请号: | 201010573973.6 | 申请日: | 2010-12-06 |
公开(公告)号: | CN102082105A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 董自强;黄庆安;秦明 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/8238;H01L23/373;H01L23/31;B81B7/02;B81C1/00;G01P5/10;G01P13/02 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 汤志武 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 阳极 工艺 风速 风向 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于阳极键合工艺的热式风速风向传感器,包括减薄硅芯片(15),所述减薄硅芯片(15)的背面通过导热胶(16)连接有陶瓷传感基板(17),在减薄硅芯片(15)的正面设有氧化层(6),在氧化层(6)的中部设有4个多晶硅加热元件(4)及4个热传感测温元件(7),在氧化层(6)的边缘区域设有电引出焊盘(10),4个多晶硅加热元件(4)及4个热传感测温元件(7)分别通过金属引线与电引出焊盘(10)连接,其特征在于,在氧化层(6)上设有能够露出减薄硅芯片(15)的键合用空腔(11),在键合用空腔(11)中露出的减薄硅芯片(15)上键合有封装玻璃基板(12)且由设在封装玻璃基板(12)的键合用凸台(13)与所露出的减薄硅芯片(15)键合,在封装玻璃基板(12)设有能使电引出焊盘(10)露出的电引出用通孔(14)。
2.一种权利要求1所述的基于阳极键合工艺的热式风速风向传感器的制备方法,其特征在于:
第一步,硅芯片的制备
步骤1,在硅芯片(1)表面热生长第一热氧化层(2);
步骤2,在第一热氧化层(2)上制备作为热传感测温元件(7)一个端的第一多晶硅(3),以及作为多晶硅加热元件(4)的第二多晶硅;
步骤3,在第一热氧化层(2)、第一多晶硅(3)及第二多晶硅上化学气相淀积第二氧化层,并由第一热氧化层(2)与第二氧化层形成氧化层(6),并利用刻蚀工艺制备在第一多晶硅(3)以及多晶硅加热元件(4)上方氧化层上刻蚀出通孔(5);
步骤4,溅射并图形化金属铝,其中金属铝(8)作为热传感测温元件(7)的另一端以及电引出端,金属铝(9)作为多晶硅加热元件(4)的电引出端,金属铝(10)作为电引出焊盘;
步骤5,干法刻蚀氧化层(6)直至露出硅衬底,制得键合用空腔(11);
第二步,封装玻璃基板的制备
步骤1,准备与硅芯片(1)尺寸外形相同的封装玻璃基板(12);
步骤2,在封装玻璃基板(12)的上表面利用光刻工艺和湿法腐蚀工艺对封装玻璃基板(12)正表面进行选择性腐蚀,制备出键合用凸台(13);
步骤3,在封装玻璃基板(12)上表面利用激光刻蚀工艺制备电引出用通孔(14);
第三步,后处理
步骤1,阳极键合封装:利用硅-玻璃阳极键合技术,将硅芯片(1)的正表面和封装玻璃基板(12)的键合用凸台(13)表面进行阳极键合;
步骤2,硅芯片(1)减薄:利用减薄工艺对键合后的芯片中的硅芯片(1)进行减薄,完成减薄硅芯片(15)的制备;
步骤3,陶瓷片贴封:将陶瓷传感基板(17)通过导热胶(16)贴封于减薄硅芯片(15)的背面;
第四步,划片,完成传感器的制作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造