[发明专利]基于阳极键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010573973.6 申请日: 2010-12-06
公开(公告)号: CN102082105A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 董自强;黄庆安;秦明 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/8238;H01L23/373;H01L23/31;B81B7/02;B81C1/00;G01P5/10;G01P13/02
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 汤志武
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 阳极 工艺 风速 风向 传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于阳极键合工艺的热式风速风向传感器,包括减薄硅芯片(15),所述减薄硅芯片(15)的背面通过导热胶(16)连接有陶瓷传感基板(17),在减薄硅芯片(15)的正面设有氧化层(6),在氧化层(6)的中部设有4个多晶硅加热元件(4)及4个热传感测温元件(7),在氧化层(6)的边缘区域设有电引出焊盘(10),4个多晶硅加热元件(4)及4个热传感测温元件(7)分别通过金属引线与电引出焊盘(10)连接,其特征在于,在氧化层(6)上设有能够露出减薄硅芯片(15)的键合用空腔(11),在键合用空腔(11)中露出的减薄硅芯片(15)上键合有封装玻璃基板(12)且由设在封装玻璃基板(12)的键合用凸台(13)与所露出的减薄硅芯片(15)键合,在封装玻璃基板(12)设有能使电引出焊盘(10)露出的电引出用通孔(14)。

2.一种权利要求1所述的基于阳极键合工艺的热式风速风向传感器的制备方法,其特征在于:

第一步,硅芯片的制备

步骤1,在硅芯片(1)表面热生长第一热氧化层(2);

步骤2,在第一热氧化层(2)上制备作为热传感测温元件(7)一个端的第一多晶硅(3),以及作为多晶硅加热元件(4)的第二多晶硅;

步骤3,在第一热氧化层(2)、第一多晶硅(3)及第二多晶硅上化学气相淀积第二氧化层,并由第一热氧化层(2)与第二氧化层形成氧化层(6),并利用刻蚀工艺制备在第一多晶硅(3)以及多晶硅加热元件(4)上方氧化层上刻蚀出通孔(5);

步骤4,溅射并图形化金属铝,其中金属铝(8)作为热传感测温元件(7)的另一端以及电引出端,金属铝(9)作为多晶硅加热元件(4)的电引出端,金属铝(10)作为电引出焊盘;

步骤5,干法刻蚀氧化层(6)直至露出硅衬底,制得键合用空腔(11);

第二步,封装玻璃基板的制备

步骤1,准备与硅芯片(1)尺寸外形相同的封装玻璃基板(12);

步骤2,在封装玻璃基板(12)的上表面利用光刻工艺和湿法腐蚀工艺对封装玻璃基板(12)正表面进行选择性腐蚀,制备出键合用凸台(13);

步骤3,在封装玻璃基板(12)上表面利用激光刻蚀工艺制备电引出用通孔(14);

第三步,后处理

步骤1,阳极键合封装:利用硅-玻璃阳极键合技术,将硅芯片(1)的正表面和封装玻璃基板(12)的键合用凸台(13)表面进行阳极键合;

步骤2,硅芯片(1)减薄:利用减薄工艺对键合后的芯片中的硅芯片(1)进行减薄,完成减薄硅芯片(15)的制备;

步骤3,陶瓷片贴封:将陶瓷传感基板(17)通过导热胶(16)贴封于减薄硅芯片(15)的背面;

第四步,划片,完成传感器的制作。

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