[发明专利]太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

S₁、在N型基底的晶片表面形成P型掺杂层；

S₂、在N型基底的晶片背面形成N+型掺杂层；

S₃、在该N型基底的晶片表面形成第一钝化层，在该N型基底的晶片背面形成第二钝化层；

S₄、在该N型基底的晶片表面形成一涂层，该涂层包括第三钝化层和增透膜；

S₅、在该N型基底的晶片表面和背面制作表面电极和背面电极；

S₆、将该N型基底的晶片在700-1100℃的温度下烧结使表面电极和背面电极中的金属元素与晶片共晶复合，并在烧结的同时在P型掺杂层中与该表面电极相对应的区域形成P+重掺杂区域。

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S₁中加速P型离子并通过离子注入的方式形成P型掺杂层，其中将P型离子加速至500eV-50keV，所形成的P型掺杂层的方块电阻为60-120ω/□。

3.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S₂中加速N型离子并通过离子注入的方式形成N+型掺杂层，其中将N型离子加速至500eV-50keV，所形成的N+型掺杂层的方块电阻为20-60Ω/□。

4.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S₃中的第一钝化层和/或第二钝化层为氧化硅、碳化硅、氮化硅或氧化铝薄膜。

5.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S₄中通过PECVD的方式形成涂层，该涂层的厚度为60-150nm，该涂层的第三钝化层为氧化硅、碳化硅、氮化硅或氧化铝薄膜，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。

6.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S₅中使用银铝浆并采用丝网印刷法制作表面电极，其中铝的含量大于3％，所述百分比为铝占银铝浆总量的质量百分比，以及使用银浆并采用丝网印刷法制作背面电极。

7.如权利要求1-6中任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S₆中的烧结过程中通过表面电极中金属元素的热扩散在P型掺杂层中与该表面电极相对应的区域形成P+重掺杂区域，所述P+重掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□。

8.一种使用如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法制得的太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池包括：

一N型基底；

一位于该N型基底表面的P型掺杂层；

一位于该N型基底背面的N+型掺杂层；

分别位于该P型掺杂层表面的第一钝化层和该N+型掺杂层背面的第二钝化层；

一位于该第一钝化层上的涂层，该涂层包括第三钝化层和增透膜；

位于该涂层上的表面电极以及位于该第二钝化层背面的背面电极，

其中，所述表面电极和背面电极中的金属元素与晶片共晶复合，并且该P型掺杂层中与该表面电极相对应的区域为P+重掺杂区域。

9.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，该P型掺杂层的方块电阻为60-120Ω/□。

10.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，该N+型掺杂层的方块电阻为20-60Ω/□。

11.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，第一钝化层和/或第二钝化层为氧化硅、碳化硅、氮化硅或氧化铝薄膜。

12.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，该涂层的厚度为60-150nm，该涂层的第三钝化层为氧化硅、碳化硅、氮化硅或氧化铝薄膜，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。

13.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述P+重掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□。