[发明专利]连接件的制造方法

权利要求书

1.一种连接件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有多个待连接器件；对所述衬底进行硅离子注入；形成保形覆盖所述待连接器件的停止层；在所述停止层上覆盖绝缘层；图形化所述绝缘层，在所述绝缘层中、位于待连接器件的上方形成开口；向所述开口中沉积第一金属材料，通过退火工艺使第一金属材料转换成为金属硅化物；向所述开口中的金属硅化物上沉积第二金属材料。

2.如权利要求1所述的连接件的制造方法，其特征在于，所述硅离子注入的步骤中，离子注入的深度在的范围内。

3.如权利要求1所述的连接件的制造方法，其特征在于，向所述开口中沉积第一金属材料之后，在所述第一金属材料上形成保护层。

4.如权利要求1所述的连接件的制造方法，其特征在于，所述退火工艺包括第一次退火处理和第二次退火处理，所述第二次退火的温度大于第一次退火的温度。

5.如权利要求1所述的连接件的制造方法，其特征在于，通过光刻和蚀刻法对所述绝缘层进行图形化处理，形成位于绝缘层中的开口，直至所述开口露出停止层。

6.如权利要求3所述的连接件的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为钛或氮化钛。

7.如权利要求5所述的连接件的制造方法，其特征在于，在形成开口之后、向开口中填充金属材料之前，对所述开口进行预清洗步骤去除停止层。

8.如权利要求7所述的连接件的制造方法，其特征在于，在预清洗步骤后、向开口中填充金属材料之前，通过去水汽步骤去除开口中的水分。

9.如权利要求4所述的连接件的制造方法，其特征在于，所述退火工艺采用尖峰退火技术或快速退火方式。

10.如权利要求4所述的连接件的制造方法，其特征在于，其特征在于，在第一次退火处理和第二次退火处理之间，还包括选择性蚀刻的步骤，用于去除未反应的第一金属材料。

11.如权利要求9所述的连接件的制造方法，其特征在于，所述第一金属材料为镍，第一次退火的温度小于400℃，退火时间为20～50s；第二次退火的温度在400～500℃的范围内，退火时间为20～50s。