[发明专利]一种自支撑GaN基发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201010573130.6 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102097548A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;张昊翔;吴科伟;江忠永;黄靖云 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;C23C16/40 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 gan 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种自支撑的GaN基发光二极管的制备方法，该自支撑的GaN基发光二极管在GaN抗腐蚀层(104)上自下而上依次有GaN或者AlN缓冲层(202)、非掺杂GaN过渡层(203)、n型GaN外延层(204)、GaN/InGaN多量子阱发光层(205)，p型GaN外延层(206)和电流扩散层(207)，并在电流扩散层(207)上镀p型GaN接触电极(208)，在n型GaN外延层(204)上并列于GaN/InGaN多量子阱发光层(205)镀n型GaN接触电极(209)，其制备采用的是金属有机化学气相沉积法，步骤如下：
1)将经过清洗的蓝宝石衬底(101)装入金属有机化学气相沉积装置反应室，抽真空，在250-400℃，有机锌源流量5-100sccm，纯氧气流量为10-200sccm，气压为0.01-150Torr，生长厚度为0.1-1微米的ZnO缓冲层(102)；
2)将步骤1)制品在700-800℃原位退火10-30分钟，然后于400-600℃，有机锌源流量5-100sccm，纯氧气流量为10-200sccm，气压为0.01-150Torr，在ZnO缓冲层(102)上生长厚度为0.5-30微米的ZnO外延层(103)；
3)在600-800℃，有机镓源流量为5-100sccm，纯氨气的流量为100-2000sccm，气压为10-200Torr，在ZnO外延层(103)上生长厚度为0.1-1微米的GaN抗腐蚀层(104)；
4)在上述的蓝宝石(101)、ZnO缓冲层(102)、ZnO外延层(103)以及GaN抗腐蚀层(104)构成的复合衬底上，依次生长GaN或者AlN缓冲层(202)、非掺杂GaN过渡层(203)、n型GaN外延层(204)、GaN/InGaN多量子阱发光层(205)，p型GaN外延层(206)和电流扩散层(207)，并在电流扩散层(207)上镀p型GaN接触电极(208)，在n型GaN外延层(204)上并列于GaN/InGaN多量子阱发光层(205)镀n型GaN接触电极(209)；
5)采用酸液化学腐蚀法，将蓝宝石衬底(101)、ZnO缓冲层(102)和ZnO外延层(103)与GaN抗腐蚀层(104)剥离，自支撑的GaN基发光二极管。
2.根据权利要求1所述的自支撑的GaN基发光二极管的制备方法，其特征在于酸液化学腐蚀所用的酸液为pH≥4的硝酸、磷酸或者氢氟酸。
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