[发明专利]基于光纤硅微声压传感器的低应力波纹膜片的封装结构

权利要求书

1.基于光纤硅微声压传感器的低应力波纹膜片的封装结构，其特征在于：它包括低应力波纹膜片(1)、对称平衡结构(2)、基座(4)、释放支架(6)、光纤安装槽(8)和光纤(9)，所述低应力波纹膜片(1)通过对称平衡结构(2)封装在基座(4)中，

基座(4)具有两个上下连续、阶梯式的凹槽，低应力波纹膜片(1)与对称平衡结构(2)从上至下依次设置在基座(4)的上凹槽(4-1)中，低应力波纹膜片(1)包括敏感区域(1-1)和硅杯(1-2)，低应力波纹膜片(1)倒置，即低应力波纹膜片(1)的硅杯(1-2)的杯口朝上，

低应力波纹膜片(1)与对称平衡结构(2)的外围尺寸相同，对称平衡结构(2)为中空的方环形结构，且与硅杯(1-2)的结构镜像对称，低应力波纹膜片(1)的敏感区域(1-1)、对称平衡结构(2)和基座(4)的下凹槽(4-2)形成腔(5)，

在基座(4)的外部设置释放支架(6)，释放支架(6)与基座(4)之间在远离敏感芯片安装位置处用低应力软胶(7)粘接，

基座(4)的底部设置有两个光纤安装槽(8)，光纤安装槽(8)的出口在下凹槽(4-2)内，光纤安装槽(8)中布有用于光检测的光纤(9)。

2.根据权利要求1所述的基于光纤硅微声压传感器的低应力波纹膜片的封装结构，其特征在于：低应力波纹膜片(1)和对称平衡结构(2)都采用硅基材质。

3.根据权利要求1所述的基于光纤硅微声压传感器的低应力波纹膜片的封装结构，其特征在于：低应力波纹膜片(1)的敏感区域(1-1)的获取方法为：在硅基正面通过热氧化、光刻、LPCVD淀积及湿法腐蚀方法实现具有波纹结构的低应力膜片的制作；

低应力波纹膜片(1)的硅杯(1-2)的获取方法为：在硅基背面通过光刻及各向异性腐蚀窗口形成。

4.根据权利要求1所述的基于光纤硅微声压传感器的低应力波纹膜片的封装结构，其特征在于：它还包括应力吸收护套(3)，该应力吸收护套(3)为弹性材料，其套在低应力波纹膜片(1)和对称平衡结构(2)的组合的外表面，且位于低应力波纹膜片(1)的硅杯(1-2)、对称平衡结构(2)与上凹槽(4-1)的接触面之间，应力吸收护套(3)延伸至低应力波纹膜片的硅杯(1-2)与该释放支架(6)之间，释放支架(6)与应力吸收护套(3)之间用低应力软胶(7)粘接。