[发明专利]一种LED外延结构

权利要求书

1.一种LED外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、第一半导体层、第二半导体层、多量子阱层和第三半导体层，其特征在于，所述多量子阱层与第二半导体层连接处为量子阱。

2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为u型氮化镓层，所述第二半导体层为n型氮化镓层，所述第三半导体层为p型氮化镓层。

3.根据权利要求1或2所述的LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱层包括一层以上的交替连接的量子阱和量子垒，所述多量子阱层的层数为i，其中，1≤i≤100。

4.根据权利要求1或2所述的LED外延结构，其特征在于，所述量子阱的组成为Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中，0＜x≤1，0＜y≤1，0＜x+y≤1；所述量子垒的组成为GaN。

5.根据权利要求1或2所述的LED外延结构，其特征在于，所述过渡层的组成为In_xGa_1-xN半导体层，其中，0＜x≤1。

6.根据权利要求1或2所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型未掺杂In_xGa_1-xN半导体层，其中，0＜x≤1。

7.根据权利要求1或2所述的LED外延结构，其特征在于，所述第二半导体层为n型掺杂In_xGa_1-xN半导体层，其中，0＜x≤1。

8.根据权利要求7所述的LED外延结构，其特征在于，所述n型掺杂In_xGa_1-xN半导体层掺杂元素为Si，掺杂浓度为1×10¹⁸/cm³～5×10²⁰/cm³。

9.根据权利要求1或2所述的LED外延结构，其特征在于，所述第三半导体层为p型掺杂In_xGa_1-xN半导体层，其中，0＜x≤1。

10.根据权利要求9所述的LED外延结构，其特征在于，所述p型掺杂In_xGa_1-xN半导体层掺杂元素为Be、Mg，掺杂浓度为5×10¹⁷/cm³～1×10²³/cm³。