[发明专利]SOA驱动电路开关速度提高到纳米级的方法无效

专利信息
申请号: 201010571761.4 申请日: 2010-12-03
公开(公告)号: CN102064806A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 曾亚南 申请(专利权)人: 曾亚南
主分类号: H03K17/04 分类号: H03K17/04
代理公司: 沈阳圣群专利事务所 21221 代理人: 王宪忠
地址: 110125 辽宁省沈*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: soa 驱动 电路 开关 速度 提高 纳米 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于一种光纤通信系统,特别是一种提高SOA半导体放大器速度的方法。 

背景技术

在光纤通信系统中,半导体放大器SOA是一种重要的有源器件,可以作为波长转换,光开关和光逻辑其等,SOA本身的开关速度可以达到16ps,理论上还可以工作在纳秒以下,在实际应用中,由于SOA价格高,所以采用焊接方式将其焊在电路板上,而且将其固定在支持架上,支持架采用较长的引脚,将SOA的引脚完全夹持住,这会往往导致开关的速度降低,一般往往工作在155Mb/s的速率下,要想提高开关的速度,只能采用光驱动方式,这不仅需要很强的控制光,而且高速控制光产生同样面临驱动问题,要使用昂贵的外调制方式。这使得SOA使用起来很不方便。 

发明内容

本发明的目的是针对上述技术这存在的问题,提供一种SOA驱动电路开关速度提高到纳米级的方法,SOA夹持架的等效模型,将SOA,夹持架,导线构成的系统,看做一个由电阻,电容,电感和理想二极管D并联厚,三部分串联的一个电路,并对此模型进行了理论分析和计算机仿真。通过调整电阻和电容的值,可以有效地将驱动电路的开关速度提高到纳秒级。 

本发明的目的是这样实现的:包括半导体二极管,其特征是,半导体光放大器是一个半导体二极管,同时具有阻性和导性,半导体光放大器看做一个由R,C和理想二极管D并联后的两部分串联的一个电路。将半导体光放大器接到驱动电路中,采用负电源供电的方法,电路由二极管等效电路,电容C,开关K,和恒流源等组成,R2为外接电阻,L是由于布线而引起的等效电感,开关K由外部信号控制,通过K的分断和闭合实现电流信号的输出。 

本发明的优点是,通过调整R,C的值,可以有效地将驱动电路的开关速度提高到纳秒级。 

附图说明: 

图1:SOA等效电路模型

图2:驱动电路

具体实施方式:

下面结合附图对本实施例做进一步说明:

由图1可知,由于半导体光放大器是一个半导体二极管,同时具有阻性和导性,我们把半导体光放大器看做一个由R,C和理想二极管D并联后的两部分串联的一个电路。

由图2可知:我们将半导体光放大器接到驱动电路中,采用负电源供电的方法,电路由二极管等效电路,电容C,开关K,和恒流源等组成,R2为外接电阻,L是由于布线而引起的等效电感,开关K由外部信号控制,通过K的分断和闭合实现电流信号的输出。 

本发明提出的模型对基于半导体器件(半导体光放大器,半导体激光器)高速光电转换电路有重要的意义。  

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