[发明专利]具有半导体组件的封装结构

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体组件及具有半导体组件的封装结构，详言之，关于一种具有导通柱的半导体组件及具有该半导体组件的封装结构。

背景技术

已知半导体组件(例如芯片或中介板(Interposer))具有数个导通柱(Via)及数个金属垫(Metal Pad)，这些金属垫位于这些导通柱上方，且电性连接这些导通柱。以俯视观之，每一金属垫的面积会大于每一导通柱面积，而且这些金属垫的外围侧壁为圆形。因此，这些金属垫并无法靠的太近，导致这些导通柱的间距并无法有效地缩小。

发明内容

本发明提供一种具有半导体组件的封装结构。该封装结构包括一半导体组件、一芯片及一底胶。该半导体组件包括一基材本体、数个导通柱(Conductive Vias)、一绝缘材料、一第二保护层及数个金属垫(Metal Pad)。该基材本体具有一第一表面、一第二表面及至少一贯孔。这些导通柱位于该至少一贯孔内。该绝缘材料位于这些导通柱及该至少一贯孔的侧壁之间。该第二保护层位于该第二表面，且具有至少一开口，以显露这些导通柱。这些金属垫位于该至少一开口内且电性连接至这些导通柱。这些金属垫包括至少一第一金属垫，该第一金属垫具有至少一第一弧状侧壁及至少一第一参考侧壁，其中该第一弧状侧壁的曲率与该第一参考侧壁的曲率不同。

该芯片位于该半导体组件上，该芯片具有数个导体组件，以电性连接这些金属垫。该底胶位于该芯片及该半导体组件之间，以包覆这些导体组件。

藉此，这些金属垫可以更靠近，使得这些导通柱亦可以更靠近，因而，在有限空间内，可以排列较多的导通柱。

附图说明

图1至图7显示本发明第一实施例的半导体组件的工艺的示意图；

图8显示本发明第二实施例的半导体组件的剖视示意图；

图9显示本发明第三实施例的半导体组件的剖视示意图；

图10显示本发明第四实施例的半导体组件的剖视示意图；

图11显示本发明第四实施例的半导体组件的俯视示意图；

图12显示本发明第五实施例的半导体组件的剖视示意图；

图13显示本发明第五实施例的半导体组件的俯视示意图；

图14显示本发明第六实施例的半导体组件的剖视示意图；

图15显示本发明第六实施例的半导体组件的俯视示意图；

图16显示本发明第七实施例的半导体组件的剖视示意图；

图17显示本发明第七实施例的半导体组件的俯视示意图；

图18显示本发明第八实施例的半导体组件的剖视示意图；

图19显示本发明第八实施例的半导体组件的俯视示意图；

图20显示本发明第九实施例的半导体组件的剖视示意图；

图21显示本发明第九实施例的半导体组件的俯视示意图；

图22显示本发明第十实施例的半导体组件的剖视示意图；

图23显示本发明第十实施例的半导体组件的俯视示意图；及

图24显示本发明第十一实施例的具有半导体组件的封装结构的剖面示意图。

具体实施方式

参考图1至图7，显示本发明第一实施例的半导体组件的工艺的示意图。参考图1，提供一基材本体10。该基材本体10包括一第一表面101、一第二表面102及数个孔洞103。在本实施例中，该基材本体10为一硅基材，这些孔洞103为盲孔，且开口于该第一表面101。

参考图2，形成一绝缘材料11(例如：聚亚酰胺(Polyimide，PI)、环氧树脂(Epoxy)、苯环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)等非导电性高分子)于这些孔洞103的侧壁上，且定出数个中心槽。之后再填满一导电材料12(例如铜金属)于这些中心槽内。之后，翻转180度。

参考图3，以研磨及/或蚀刻方式移除部份该第二表面102以薄化该基材本体10，使得这些孔洞103变成数个贯孔104，且这些导电材料12变成数个导通柱13。

参考图4，形成一第二保护层(Passivation Layer)14于该第二表面102。该第二保护层14为非导电性高分子材料，例如：聚亚酰胺(Polyimide，PI)、环氧树脂(Epoxy)、苯环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)等。在本实施例中，该第二保护层14为一感旋光性高分子材料，例如是苯环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)，且利用旋转涂布(SpinCoating)或喷雾涂布(Spray Coating)方式形成该第二保护层14。