[发明专利]非挥发性记忆体及其制造方法与记忆胞的操作方法

权利要求书

1.一种非挥发性记忆体，其特征在于其包括：

一基底；

多个条状的第一掺杂区，配置于该基底中并沿一第一方向延伸；

多个条状的第二掺杂区，配置于该基底中并沿该第一方向延伸，且该些第二掺杂区与该些第一掺杂区交替排列；

一电荷捕捉结构，配置于该基底上；

多个条状的第一栅极，配置于该电荷捕捉结构上并沿该第一方向延伸，且每一第一栅极位于该些第一掺杂区的其中一者上；

多个条状的第二棚极，配置于该电荷捕捉结构上并沿一第二方向延伸，且位于该些第二掺杂区上，其中该第二方向与该第一方向交错；以及

一栅间绝缘层，配置于该些第一栅极与该些第二栅极之间；

其中相邻的该第一掺杂区与该第二掺杂区以及位于相邻的该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该第一栅极、该第二栅极与该电荷捕捉结构定义出一记忆胞。

2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体，其特征在于其中该些第一栅极的宽度大于该些第一掺杂区的宽度。

3.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体，其特征在于其中所述的基底中具有多个沟渠，每一第一掺杂区位于该些沟渠的其中一者下方，每一第一栅极位于该些沟渠的其中一者的底部，且在该第二方向上，该些第二栅极填入该些沟渠。

4.一种非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基底；

在该基底上形成一电荷捕捉结构；

在该电荷捕捉结构上形成多个条状的第一绝缘层，且该些第一绝缘层沿一第一方向延伸；

在每一第一绝缘层的侧壁上形成一导体间隙壁，且该些导体间隙壁沿该第一方向延伸；

以该些第一绝缘层与该些导体间隙壁为罩幕，进行离子植入工艺，以在该基底中形成多个条状的掺杂区，且该些掺杂区沿该第一方向延伸；

在该电荷捕捉结构上形成一第一导体层，该第一导体层覆盖该些导体间隙壁且暴露出该些第一绝缘层；

在该第一导体层上与该些第一绝缘层上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层在该第一方向上暴露出部分该第一导体层；

在该第二绝缘层与该第一导体层上形成一第二导体层；以及

将该第二导体层与该第二绝缘层所暴露出的该第一导体层图案化，以在一第二方向上形成多个条状的第三导体层，其中该第二方向与该第一方向交错。

5.根据权利要求4所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中每一第一绝缘层与其侧壁上的导体间隙壁具有一总宽度，每第一绝缘层的宽度大于该总宽度的四分之一且小于该总宽度的二分之一。

6.一种非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基底；

在该基底中形成多个沟渠，且该些沟渠沿一第一方向延伸；

在该基底上形成一电荷捕捉结构；

在该些沟渠之间以及该些沟渠底部的该基底中形成多个掺杂区，且该些掺杂区沿该第一方向延伸；

在该些沟渠底部形成一第一导体层，且该第一导体层沿该第一方向延伸；

在该第一导体层上形成一绝缘层；以及

在一第二方向上，在该电荷捕捉结构上形成多个条状的第二导体层，且该些第二导体层填入该些沟渠，其中该第二方向与该第一方向交错。

7.根据权利要求6所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中所述的第一导体层的形成方法包括：

在该电荷捕捉结构上形成一导体材料层，并填满该些沟渠；以及

进行蚀刻工艺，移除部分该导体材料层，且保留位于该些沟渠底部的部分该导体材料层。

8.根据权利要求6所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中所述的绝缘层的形成方法包括：

在该电荷捕捉结构上形成一绝缘材料层，并填满该些沟渠；以及

进行蚀刻工艺，移除部分该绝缘材料层，且保留位于该第一导体层上的部分该绝缘材料层。

9.根据权利要求6所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中该些第二导体层的形成方法包括：

在该电荷捕捉结构上形成一导体材料层，并填满该些沟渠；以及

进行图案化工艺，在该第二方向上移除部分该导体材料层。