[发明专利]漏电太阳能电池片的处理方法及用于该方法的工装夹具无效
申请号: | 201010571101.6 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102185014A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 罗军;郭建东;黄炯钰;钱明星;梁惠珏 | 申请(专利权)人: | 江阴浚鑫科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 214443 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏电 太阳能电池 处理 方法 用于 工装 夹具 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池的生产加工,更具体地说,涉及一种漏电太阳能电池片处理方法及用于该方法的工装夹具。
背景技术
近年来,太阳能电池片生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展,逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种能力转换的光电元件,它可以在太阳光的照射下,把光能转换为电能,实现光伏发电。
太阳能电池片的生产工艺比较复杂,简单说来,目前的太阳能电池片的生产过程可以分为以下几个主要步骤:
步骤S11、表面制绒以及化学清洗硅片表面,通过化学反应在原本光滑的硅片表面形成凹凸不平的结构,以增强光的吸收;
步骤S12、扩散制结,将P型的硅片放入扩散炉内,使N型杂质原子硅片表面层,通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成PN结,使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样便形成电流,也就是使硅片具有光伏效应;
步骤S13、等离子刻蚀,去除扩散过程中在硅片边缘形成的将PN结短路的导电层;
步骤S14、平板PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition,等离子增强的化学蒸发沉积),即沉积减反射膜,利用薄膜干涉原理,减少光的反射,起到钝化作用,增大电池的短路电流和输出功率,提高转换效率;
步骤S15、印刷电极,采用银浆印刷正电极和背电极,采用铝浆印刷背场,以收集电流并起到导电的作用;
步骤S16、烧结,在高温下使印刷的电极与硅片之间形成欧姆接触。
在实施本发明创造的过程中,发明人发现,在对硅片进行等离子刻蚀时,如果边缘刻蚀不干净,在烧结时金属原子会扩散到硅片边缘,使得在有电流通过时形成短路,出现漏电现象。而现有技术对此没有有效办法,一般是将硅片边缘漏电的电池片按等外低效直接处理,即按照等外电池片或低效电池片处理,导致电池片资源浪费。
发明内容
本发明实施例提供了一种漏电太阳能电池片处理方法及用于该方法的工装夹具,以避免对漏电电池等外低效处理而浪费资源。
为实现上述目的,本发明实施例提供了如下技术方案:
一种漏电太阳能电池片的处理方法,包括:
从成品太阳能电池片中筛选出漏电大于预设门限的太阳能电池片;
将所述筛选出的电池片排列对齐,以工装夹具夹紧,并进行擦拭磨边直到检测出电池片漏电电流小于预设门限。
优选的,上述方法中,所述预设门限为2A至3A。
优选的,上述方法中,所述预设门限为3A。
一种用于上述漏电太阳能电池片的处理方法的工装夹具,包括:
结构相同、相向设置的第一夹板和第二夹板,第一夹板和第二夹板相向的面即内侧面为平面;
设置于所述第一夹板和第二夹板两侧、用于调节第一夹板和第二夹板之间距离的松紧件。
优选的,所述工装夹具还包括:设置在第一夹板或第二夹板外侧面的把手。
优选的,所述工装夹具中,所述把手包括:
分别连接所述第一夹板或第二夹板上下端的第一固定部和第二固定部;
连接所述第一固定部和第二固定部的连杆,所述连杆和安装所述第一固定部和第二固定部的外侧面之间具有可容纳手指穿过的距离。
优选的,所述工装夹具中,所述第一固定部和第二固定部分别位于所述第一夹板或第二夹板上下端的中部位置。
优选的,所述工装夹具中,所述松紧件为紧固螺栓,该紧固螺栓的一端依次穿过所述第一夹板和第二夹板两侧的螺孔。
优选的,所述工装夹具中,所述螺孔位于所述第一夹板和第二夹板两侧的中部。
从上述技术方案可以看出,与现有技术相比,本发明实施例对于边缘漏电的太阳能电池片不以等外或低效太阳能电池片处理,而是将进行改造,通过改造,将这些太阳能电池片能够被正常使用。具体的改造方式为:通过将边缘漏电的硅片排列对齐后,用工装夹具进行夹紧,然后进行擦拭磨边,通过机械力破坏硅片边缘PN结,将该PN结安全分离,从而避免发生因等离子刻蚀不干净而导致硅片边缘漏电的情况。
附图说明
通过附图所示,本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图,重点在于示出本发明的主旨。
图1为现有技术硅太阳能电池的制作方法流程图;
图2为正常情况下PN结构示意图;
图3为等离子刻蚀不干净情况下PN结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种漏电太阳能电池片的处理方法的基本流程图;
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