[发明专利]切换式电源供应器的高压启动装置无效

专利信息
申请号: 201010570422.4 申请日: 2010-12-02
公开(公告)号: CN102044957A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 周保助 申请(专利权)人: 矽创电子股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 张爱群
地址: 中国台湾台北市114*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 切换 电源 供应 高压 启动 装置
【权利要求书】:

1.一种切换式电源供应器的高压启动装置,其特征在于:包含

一高压启动电路,连接一电源电路,且该电源电路包含一电容;

所述高压启动电路包含:

一金属氧化半导体电晶体,设置于所述高压启动电路,将一电源电流输入至所述金属氧化半导体电晶体,且该金属氧化半导体电晶体具有一源极、一射极及一闸极;

一电压调整单元,设置于所述高压启动电路,所述电压调整单元连接所述金属氧化半导体电晶体,以便该电压调整单元调整该金属氧化半导体电晶体的电压;

一电晶体,设置于所述高压启动电路,所述电晶体连接至所述金属氧化半导体电晶体的闸极;

其中,当该金属氧化半导体电晶体的闸极形成导通时,一充电电流流经该金属氧化半导体电晶体及二极管,并进行充电该电容;

当充电该电容至一预定电压时,控制导通该电晶体,以便关闭该金属氧化半导体电晶体,并截止该充电电流。

2.如权利要求1所述的切换式电源供应器的高压启动装置,其特征在于:所述金属氧化半导体电晶体采用增强型金属氧化半导体电晶体或空乏型金属氧化半导体电晶体。

3.如权利要求1所述的切换式电源供应器的高压启动装置,其特征在于:所述电压调整单元由一电阻及一齐纳二极管组成。

4.如权利要求3所述的切换式电源供应器的高压启动装置,其特征在于:所述电压调整单元的齐纳二极管耦接于所述金属氧化半导体电晶体的闸极。

5.如权利要求1所述的切换式电源供应器的高压启动装置,其特征在于:所述电压调整单元由一第一电阻及一第二电阻组成。

6.如权利要求5所述的切换式电源供应器的高压启动装置,其特征在于:所述电压调整单元的第一电阻串接于所述金属氧化半导体电晶体的源极。

7.如权利要求5所述的切换式电源供应器的高压启动装置,其特征在于:所述电压调整单元的第二电阻耦接于该金属氧化半导体电晶体的闸极。

8.如权利要求1所述的切换式电源供应器的高压启动装置,其特征在于:所述金属氧化半导体电晶体及电源电路之间连接一二极管。

9.如权利要求1所述的切换式电源供应器的高压启动装置,其特征在于:所述金属氧化半导体电晶体的源极与电源电路之间连接一二极管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽创电子股份有限公司,未经矽创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010570422.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top