[发明专利]凸点及其形成方法无效
| 申请号： | 201010569433.0 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102487023A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/02;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 及其 形成 方法 | ||
1.一种凸点的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中；
平坦化钝化层至露出金属垫层，所述钝化层与金属垫层表面齐平；
采用金属线焊接工艺向金属垫层上形成金属导线；
回流金属导线，形成凸点。
2.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述平坦化钝化层的工艺为化学机械研磨法或机械研磨法。
3.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述含锡金属导线的材料为共溶锡铅合金、高铅锡铅合金，锡银合金或锡银铜合金。
4.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：回流含锡金属导线的温度为220℃～350℃。
5.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：在所述金属垫层上形成金属导线之前还包括：在金属垫层上形成籽晶层。
6.根据权利要求5所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述籽晶层的材料为铜。
7.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述半导体衬底上依次形成有至少一层钝化层和至少一层金属垫层，所述各层钝化层与相应层的金属垫层的表面齐平。
8.一种采用权利要求1的方法形成的凸点，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的金属垫层和钝化层；位于金属垫层上的凸点；其特征在于，所述金属垫层与钝化层表面齐平。
9.根据权利要求8所述的凸点，其特征在于：所述含锡金属导线的材料为共溶锡铅合金、高铅锡铅合金，锡银合金或锡银铜合金。
10.根据权利要求8所述的凸点，其特征在于：所述金属垫层与凸点之间还包括有籽晶层。
11.根据权利要求10所述的凸点，其特征在于：所述籽晶层的材料为铜。
12.根据权利要求8所述的凸点，其特征在于：包括至少一层钝化层和至少一层金属垫层，所述各层钝化层与相应层的金属垫层的表面齐平。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
