[发明专利]解调器、解调ASK信号的方法和车载单元有效

专利信息
申请号: 201010568839.7 申请日: 2010-12-02
公开(公告)号: CN102487369A 公开(公告)日: 2012-06-06
发明(设计)人: 刘家洲;郭大为 申请(专利权)人: 博通集成电路(上海)有限公司
主分类号: H04L27/06 分类号: H04L27/06;G07B15/06
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 解调器 解调 ask 信号 方法 车载 单元
【权利要求书】:

1.一种解调器,其特征在于,包括:

整流电路,所述整流电路包括隔直组件、第一电阻、MOS晶体管、电流源和第二电阻;所述隔直组件的一端用于接收ASK信号,另一端连接至所述第一电阻的一端和所述MOS晶体管的栅极,所述第一电阻的另一端用于接收偏置电压;所述电流源和所述第二电阻并联后连接至所述MOS晶体管的漏极,形成串联电路,所形成的串联电路设置在正电源和地之间;

滤波器,所述滤波器连接至所述电流源、所述第二电阻和所述MOS晶体管的漏极形成的公共端,用于接收产生在所述公共端的漏极信号,从漏极信号中移除载波以产生滤波后信号;

判定电路,连接至所述滤波器的输出端,用于接收滤波后信号,并根据滤波后信号来产生基带信号。

2.按照权利要求1所述的解调器,其特征在于:所述MOS晶体管为NMOS晶体管,所述NMOS晶体管的源极接地,所述电流源的负极连接至所述第二电阻的一端和所述NMOS晶体管的漏极来形成所述公共端,所述电流源的正极连接至所述第二电阻的另一端和所述正电源。

3.按照权利要求1所述的解调器,其特征在于:所述MOS晶体管为PMOS晶体管,所述PMOS晶体管的源极接正电源,所述电流源的正极连接至所述第二电阻的一端和所述PMOS晶体管的漏极来形成所述公共端,所述电流源的负极连接至所述第二电阻的另一端并接地。

4.按照权利要求1所述的解调器,其特征在于:

所述判定电路包括放大器和比较器;

所述放大器连接至所述滤波器的输出端,用于接收和放大滤波后信号,以产生放大后信号;

所述比较器的输入端连接至所述滤波器的输出端,用于接收滤波后信号,所述比较器的另一输入端连接至所述放大器的输出端,用于接收放大后信号;所述比较器用于比较滤波后信号和放大后信号后,产生基带信号。

5.一种解调ASK信号的方法,其特征在于,包括:

用解调器接收ASK信号,所述解调器包括整流电路,所述整流电路包括隔直组件、第一电阻、MOS晶体管、电流源和第二电阻;所述隔直组件的一端用于接收ASK信号,另一端连接至所述第一电阻的一端和所述MOS晶体管的栅极,所述第一电阻的另一端用于接收偏置电压;所述电流源和所述第二电阻并联后连接至所述MOS晶体管的漏极,形成串联电路,所形成的串联电路设置在正电源和地之间;滤波器,所述滤波器连接至所述电流源、所述第二电阻和所述MOS晶体管的漏极形成的公共端,用于接收产生在所述公共端的漏极信号,从漏极信号中移除载波以产生滤波后信号;判定电路,连接至所述滤波器的输出端,用于接收滤波后信号,并根据滤波后信号来产生基带信号;

用所述解调器解调所述ASK信号。

6.按照权利要求5所述的方法,其特征在于:所述MOS晶体管为NMOS晶体管,所述NMOS晶体管的源极接地,所述电流源的负极连接至所述第二电阻的一端和所述NMOS晶体管的漏极来形成所述公共端,所述电流源的正极连接至所述第二电阻的另一端和所述正电源。

7.按照权利要求5所述的方法,其特征在于:所述MOS晶体管为PMOS晶体管,所述PMOS晶体管的源极接正电源,所述电流源的正极连接至所述第二电阻的一端和所述PMOS晶体管的漏极来形成所述公共端,所述电流源的负极连接至所述第二电阻的另一端并接地。

8.按照权利要求5所述的方法,其特征在:

所述判定电路包括放大器和比较器;

所述放大器连接至所述滤波器的输出端,用于接收和放大滤波后信号,以产生放大后信号;

所述比较器的输入端连接至所述滤波器的输出端,用于接收滤波后信号,所述比较器的另一输入端连接至所述放大器的输出端,用于接收放大后信号;所述比较器用于比较滤波后信号和放大后信号后,产生基带信号。

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