[发明专利]一种检测膜层应力的方法有效
| 申请号： | 201010568450.2 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102486444A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N3/00 | 分类号： | G01N3/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 应力 方法 | ||
1.一种检测膜层应力的方法，该方法包括：
A、在所提供的膜层上沉积设定压力的金属层，得到检测结构；
B、在膜层的布线方向对该检测结构进行裂片，采用扫描电子显微镜检测该裂片；
C、确定该裂片中膜层的弯曲度为设定的弯曲度范围时，将所设定的压力作为该膜层的应力。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测结构包括：
在半导体器件的硅衬底上依次沉积氧化层、铜层、铜阻挡层、所提供的膜层及设定压力的金属层，所述设定压力的金属层为铝层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测结构包括：
在半导体器件的硅沉积上依次沉积的氧化层、所提供的膜层、铜阻挡层、氧化层及设定压力的金属层，所述设定压力的金属层为铝层。
4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述膜层的特征尺寸为100微米时，所述铜层的特征尺寸为30～40微米，铝层的特征尺寸为50～60微米，铜阻挡层的特征尺寸为30～40微米。
5.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述铜阻挡层为氮化钛层。
6.如权利要求1～3任一所述的方法，其特征在于，所述膜层为低介电常数层、二氧化硅层或氮化硅层；
所述膜层的结构为图案化的膜层或非图案化的膜层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：
确定该裂片中膜层的弯曲度比设定的弯曲度范围低时，则增加所述金属层的厚度，以增加设定的压力，再执行步骤A、B和C；
确定该裂片中膜层的弯曲度比设定的弯曲度范围高时，降低所述金属层的厚度，以减小设定的压力，再执行步骤A、B和C。
8.如权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述弯曲度范围为0～1度。
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