[发明专利]增强n沟道电子活性的方法

权利要求书

1.一种增强n沟道电子活性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在n沟道位置的衬底上方的多晶硅栅的周围形成补偿侧墙；

在所述补偿侧墙外侧形成主侧墙；

进行源、漏植入；

去除掉所述主侧墙；

在衬底表层淀积一层张力层；

对衬底进行退火处理；

去除掉衬底表层的所述张力层；

对衬底表层进行非晶化处理；

在所述多晶硅栅的顶部、源极和漏极分别形成硅化镍。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述张力层的张力为1.0-2.0千兆帕斯卡。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述张力层淀积时反应腔体的压力控制在1-7托。

4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述张力层为氮化硅层或者氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述张力层采用离子体增强化学气相淀积或者准常压化学气相淀积方法淀积，所述张力层淀积时的温度为400-550摄氏度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底表层淀积一层张力层的步骤之后的所述退火处理，具体为尖峰退火或者激光退火。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在衬底表层淀积一层张力层的步骤之后的所述退火处理的处理温度为900-1200摄氏度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除掉所述主侧墙的步骤中，具体是采用等离子腐蚀或者湿法腐蚀的方法去除所述主侧墙。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对衬底表层进行非晶化处理，具体是采用向衬底表面植入硅离子或者锗离子或者氮离子。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，向衬底表面植入硅离子或者锗离子或者氮离子的深度为150-250纳米。