[发明专利]相变存储器的制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有底部电极和与所述底部电极齐平的第一介质层；

在所述第一介质层表面形成第二介质层，所述第二介质层内形成有沟槽，所述沟槽露出下方的底部电极；

在所述沟槽的侧壁形成侧墙；

对所述底部电极进行预清理的步骤；

对所述底部电极进行绝缘处理，在所述底部电极的表面形成绝缘层；

在所述第二介质层表面和所述沟槽内形成相变层，所述相变层至少填充满所述沟槽且覆盖于所述绝缘层表面。

2.如权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述预清理的步骤利用等离子体刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺进行。

3.如权利要求2所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述等离子刻蚀工艺利用惰性气体产生的惰性气体离子作为轰击离子，所述等离子体刻蚀工艺的功率范围为100～1000瓦，时间范围为2～100秒。

4.如权利要求2所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀利用含氟的酸溶液进行。

5.如权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围为10～25埃。

6.如权利要求5所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述绝缘处理为利用等离子体处理工艺、低温氧化工艺或离子注入工艺进行。

7.如权利要求6所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述底部电极的材质为晶态硅，所述等离子体处理工艺利用绝缘离子与所述底部电极表面的硅结合，在所述底部电极表面形成所述绝缘层。

8.如权利要求7所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述绝缘离子为氧离子，形成的所述绝缘层为氧化硅；或所述绝缘离子为氮离子，形成的所述绝缘层为氮化硅；或所述绝缘离子为氧离子和氮离子的混合，形成的所述绝缘层为氮氧化硅。

9.如权利要求6所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述氧化工艺为在低温环境下，将所述底部电极放置于氧气的环境中，所述氧气与所述底部电极表面硅结合，在所述底部电极的表面形成氧化硅，所述氧化硅作为所述绝缘层。

10.如权利要求9所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述氧化工艺的低温环境的温度范围为300～500摄氏度，所述氧气的流量范围为100～2000sccm。

11.如权利要求6所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述离子注入的掺杂离子为氧离子，所述氧离子与所述底部电极表面的硅结合，形成氧化硅，所述氧化硅作为所述绝缘层；或所述离子注入的掺杂离子为氮离子，所述氮离子与所述底部电极表面的硅结合，形成氮化硅，所述氮化硅作为所述绝缘层。