[发明专利]一种新型背接触太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种新型背接触太阳能电池，其特征在于：晶体硅片上有2-5列孔洞(1)，所述孔洞(1)除与硅片中轴线重合的列外，其余各列与中轴线有一倾斜夹角，晶体硅片的正面印刷有细栅线(2)，细栅线(2)通过孔洞(1)内的银浆与晶体硅片背面的负电极(4)相连，正电极(3)也位于晶体硅片的背面，正、负电极(3、4)呈梯形倾斜布置。

2.根据权利要求1所述的新型背接触太阳能电池，其特征在于：所述倾斜夹角为1°-10°。

3.根据权利要求2所述的新型背接触太阳能电池，其特征在于：所述孔洞(1)大小为50μm～2000μm，孔洞(1)的分布为0.1-0.4个/cm²。

4.根据权利要求3所述的新型背接触太阳能电池，其特征在于：每列孔洞(1)的数目为4-30个。

5.如权利要求1所述新型背接触太阳能电池的制作方法：其特征在于：包括以下步骤：

A.用激光器在太阳能级别晶体硅片上打2-5列孔洞(1)，所述各列孔洞(1)除与中轴线重合的一列外，其余各列与中轴线有1°-10°的倾斜夹角，各列孔洞(1)整体呈梯形倾斜布置，孔洞(1)的大小为50μm～2000μm，孔洞(1)的分布为0.1-0.4/cm²；

B.对打孔后的硅片进行前清洗制绒，去除硅片表面和孔洞(1)内的损伤层，降低光生载流子的复合速率，同时在电池正表面制成绒面降低反射率；

C.在硅衬底淀积掺杂源并进行双面扩散制备pn结；

D.后清洗，去除含扩散源的硅衬底表面氧化层；

E.在晶体硅片的正面蒸镀减反膜；

F.在晶体硅片的正面制作细栅、孔洞，在背面制作呈梯形倾斜的正、负电极(3、4)及背面场浆料；

G.烧结或者退火，以形成良好的欧姆接触；

H.隔离不同极性的电极。

6.根据权利要求5所述的新型背接触太阳能电池的制作方法：其特征在于：步骤C所述掺杂源为含磷、硼、铝、锑或镓等III族或V族掺杂剂的化合物或混合物；所述淀积包括喷涂、印刷、气态源扩散以及其它常规的淀积方法。

7.根据权利要求5所述的新型背接触太阳能电池的制作方法：其特征在于：步骤E所述减反膜为氮化硅薄膜。

8.根据权利要求5所述的新型背接触太阳能电池的制作方法：其特征在于：步骤F所述的制作细栅、孔洞和背面电极以及背面场浆料的方法为丝网印刷、真空蒸发、溅射或电镀。

9.根据权利要求5所述的新型背接触太阳能电池的制作方法：其特征在于：步骤H所述不同极性的电极之间的隔离，是用化学刻蚀、等离子刻蚀或者激光划线的方法。