[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路无效
申请号: | 201010568165.0 | 申请日: | 2010-12-01 |
公开(公告)号: | CN102064535A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 赵明宇 | 申请(专利权)人: | 深圳市蓝韵实业有限公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;H02H3/06 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 保护 恢复 电路 | ||
技术领域
本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管自恢复电路,尤其涉及一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路。
背景技术
由于IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要使用在高压大电流等场合,因此保护功能非常重要,由于较大的负载电流会引起IGBT内较高的损耗,所以,为了避免超过最大的允许结温,IGBT的过流范围应该受到限制,常用的过流保护,主要是当过流发生,然后关闭IGBT驱动实现保护功能,如想恢复,多数复位则只能通过手动复位实现重新工作。
集中式过流保护方式,即检测输入端或直流环节的总电流,当此电流超过设定值后比较器翻转,封锁所有的IGBT驱动器的输入脉冲,使输出电流降为零.分立电流保护电路,通过触发器时序逻辑电路的记忆功能,构成记忆锁定保护电路,以避免保护电路在过流时的频繁动作。
专利号:CN03200451.6,名称为:一种IGBT过流保护电路的专利公开了一种IGBT过流保护电路,包括主控芯片UC3875、比较器、触发器,其中主控芯片的4个输出端分别接4个触发脉冲电路,所述触发脉冲电路分别接全控整流-逆变桥中IGBT器件的门极,其特征在于:所述比较器的同向输入端接一个可变电阻,反向输入端接信号采样电路的输出端,输出端接所述触发器的触发端;所述触发器的输出端与所述主控芯片的(5)脚之间经过电阻相连接;所述触发器的输出端经电阻接一个三极管的基极,所述三极管的射极接地,集电极接一个二极管的阴极,所述二极管的阳极接所述主控芯片的(6)脚,所述三极管的基极与与之连接的电阻之间接有旁路电容。采用比较器和触发器实现的IGBT过流方案,能够在过流情况下,对IGBT实现保护功能,但保护发生后,IGBT的驱动被关闭,恢复时,只能通过手动或定时复位功能才能实现,影响了设备正常工作。
发明内容
本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路,本发明利用迟滞比较器可以实现在过流下,关闭驱动,当电流减小到规定数值时,恢复驱动,实现自动保护功能。
本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案为:
一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路,包括迟滞比较器、与门、光耦、NPN晶体管、PNP晶体管、Zener二极管和可调电位器,所述迟滞比较器同相输入端与所述可调电位器可调分压电阻端相连,反相输入端接绝缘栅双极型晶体管集电极电压检测端,所述迟滞比较器输出经过一逻辑所述与门后,与所述光耦输入端相连,所述光耦输出经一电阻电容网络驱动两个所述NPN晶体管,所述光耦实现输入与输出信号的电气隔离,绝缘栅双极型晶体管驱动电路采用推挽输出,推挽驱动晶体管上管NPN集电极接+15V,其发射极与下管PNP发射极相连,发射极同时经一驱动电阻作为绝缘栅双极型晶体管栅极驱动端,下管PNP集电极与-8V相接,绝缘栅双极型晶体管栅极驱动端对地接入反接两个Zener二极管,起栅极驱动保护作用。
所述迟滞比较器电路由芯片LT1358组成。
UC3875实现的过流保护功能,在过流时,可以将脉冲信号锁存到寄存器,关闭输出驱动信号,但欲使其重新工作,只能通过手动复位或定时复位功能实现,影响系统正常工作。本发明利用利用迟滞比较器,合理设置窗口空间可以使IGBT过流保护后,电流下降到一定数值时,IGBT驱动恢复正常,设备恢复正常工作,而且电路具备一定的抗干扰能力。
附图说明
图1为本发明实施例电路图;
图2为本发明实施例IGBT过载仿真图;
图3为本发明实施例IGBT驱动恢复正常仿真图;
图4为本发明实施例IGBT过载保护及自恢复仿真图;
图5为本发明实施例IGBT正常驱动关系仿真图;
图6为本发明实施例IGBT过流动作时驱动关系仿真图。
具体实施方式
下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明:
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