[发明专利]一种监控密闭腔室温度的方法

权利要求书

1.一种监控密闭腔室温度的方法，该方法包括：

对经过离子注入的硅片的损伤值TW1进行测量；

将所述硅片放入密闭腔室中进行快速热回火处理；

从所述密闭腔室中取出快速热回火处理后的硅片；

对快速热回火处理后的硅片的损伤值TW2进行测量；

根据快速热回火处理前后所述硅片的损伤值的变化率以及损伤值的变化率与温度的对应关系，确定所述密闭腔室的温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，采用热波测量仪TP500来测量硅片的损伤值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

硅片损伤值的变化率＝(TW1-TW2)/TW1

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述根据快速热回火处理前后所述硅片的损伤值的变化率以及损伤值的变化率与温度的对应关系确定所述密闭腔室的温度包括：

通过曲线拟合的方式将所述损伤值的变化率与温度的对应关系拟合成曲线，或者将所述损伤值的变化率与温度的对应关系做成查找表；

从所述曲形或查找表中获得所述腔室的温度。