[发明专利]晶圆表面光阻去边的方法

权利要求书

1.一种晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，包括：

获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；

当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第一宽度的光阻；

当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻；其中：第一固定宽度大于第二固定宽度，第一固定宽度大于第一宽度，第二固定宽度大于第二宽度，晶圆边缘的欲去边宽度大于或等于第一宽度，晶圆边缘的欲去边宽度大于第二宽度。

2.根据权利要求1所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述第一固定长度的取值范围是5-10mm，所述第一固定宽度的取值范围是2-4mm。

3.根据权利要求2所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述第二固定长度的取值范围是1-10mm，所述第二固定宽度的取值范围是0.4-2mm。

4.根据权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用化学去边法去除晶圆边缘第三宽度的光阻；再采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第三宽度大于第二宽度，第三宽度和第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。

5.根据权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用化学去边法去除晶圆边缘第四宽度的光阻；然后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第五宽度的光阻；最后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第四宽度大于第五宽度，第五宽度大于或等于第二宽度，第二固定宽度大于第五宽度，第四宽度、第五宽度和第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。

6.根据权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：采用光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第三宽度的光阻；再采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第一固定宽度大于第三宽度，第三宽度大于第二宽度，第二宽度和第三宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。

7.根据权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第四宽度的光阻；然后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第五宽度的光阻；最后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第一固定宽度大于第四宽度，第四宽度大于第五宽度，第五宽度大于或者等于第二宽度，第二固定宽度大于第五宽度，第四宽度、第五宽度和第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。

8.根据权利要求1或4或5所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述化学去边法采用丙二醇单甲醚或丙二醇单甲醚乙酸酯或环己酮作为化学去边剂。