[发明专利]多电源域设计的电路、方法与存储阵列

权利要求书

1.一种多电源域设计的方法，其特征在于：

提供具有一区域输入/输出装置列的一存储阵列的一读取操作，其中该区域输入/输出装置是连接至一第一电路，该第一电路包含一感应放大器和一转移装置；

在该读取操作中，利用该第一电路来将该感应放大器的一节点充电至一第一数据逻辑高位准；

在该读取操作中，利用一第二电路来将一第一数据线充电至一第二数据逻辑高位准；

在该读取操作中，改变位于该感应放大器的该节点的该第一数据逻辑高位准为一第一数据逻辑低位准；以及

在该读取操作中，利用该转移装置来将该第一数据线的该第二数据逻辑高位准改变为一第二数据逻辑低位准。

2.根据权利要求1所述的多电源域设计的方法，其特征在于该第一数据逻辑高位准是由一第一供应电压节点所提供，而该第二数据逻辑高位准是由不同于该第一供应电压节点的一第二供应电压节点所提供。

3.根据权利要求1所述的多电源域设计的方法，其特征在于该第一数据逻辑低位准和该第二数据逻辑低位准中的一者或其组合为接地位准。

4.根据权利要求1所述的多电源域设计的方法，其特征在于该转移装置包含一N型金属氧化半导体晶体管，以将该第二数据逻辑高位准改变为该第二数据逻辑低位准。

5.根据权利要求4所述的多电源域设计的方法，其特征在于该N型金属氧化半导体晶体管的一漏极是耦接至该第一数据线以及N型金属氧化半导体晶体管的一源极提供该第二数据逻辑低位准。

6.根据权利要求1所述的多电源域设计的方法，其特征在于其中改变位于该感应放大器的该节点的该第一数据逻辑高位准为该第一数据逻辑低位准的步骤是基于该存储阵列的一存储单元所接收的数据。

7.根据权利要求1所述的多电源域设计的方法，其特征在于其更包含利用该第二电路来将一第二数据线充电该第二数据逻辑高位准，以及利用一第二转移装置来将该第二数据线维持在该第二数据逻辑高位准。

8.一种多电源域设计的电路，其特征在于：

一第一电路，包含：

一第一供应电压节点，设置来提供一第一供应电压；

一互锁器的一对节点；

一对转移装置：以及

一第一充电电路；

一第二电路，包含：

一第二供应电压节点，不同于该第一供应电压节点并设置来提供一第二供应电压；以及

一第二充电电路；以及

一对数据线，耦接至该第一电路和该第二电路；

其中，在一读取操作中，该第一充电电路被设置来将该互锁器的该对节点充电至该第一供应电压；该第二充电电路被设置来将该对数据线充电至该第二供应电压；该对转移装置的一第一转移装置被设置来基于该对节点的一第一节点的一第二数据逻辑低位准来提供一第一数据逻辑低位准至该对数据线的一第一数据线；该对转移装置的一第二转移装置被设置来提供一数据逻辑高位准至该对数据线的一第二数据线。

9.根据权利要求8所述的多电源域设计的电路，其特征在于该第一电路是通过一充电信号来连接至一存储阵列的一区域输入/输出装置列，该充电信号是有关于该第一充电电路及从该存储阵列的一存储单元接收数据的该对数据线。

10.根据权利要求8所述的多电源域设计的电路，其特征在于该第二电路是通过一充电信号来连接至一存储阵列的一主输入输出装置列，该充电信号是与该第二充电电路有关。

11.根据权利要求8所述的多电源域设计的电路，其特征在于其更包含一存储单元，用以提供其所储存的一数据，该第一转移装置根据该数据来提供该第一数据逻辑低位准至该第一数据线，而该第二转移装置提供该数据逻辑高位准至该第二数据线。

12.根据权利要求8所述的多电源域设计的电路，其特征在于该对转移装置中的一者包含一反相器，耦接在一N型金属氧化半导体晶体管的一栅极和该对结点的一节点间，该N型金属氧化半导体晶体管具有耦接至该对数据线的一者的一漏极。

13.根据权利要求8所述的多电源域设计的电路，其特征在于该对数据线是在该读取操作中提供读取数据。