[发明专利]一种高密度SIM卡封装件及其生产方法

权利要求书

1.一种高密度SIM卡封装件，包括基板、IC芯片、键合线和塑封体，其特征在于，所述基板为采用回蚀工艺制成的2层、4层、6层或者8层高密度互联封装有机层压基板（1），有机层压基板（1）上还设置有无源器件和晶振（11），所述IC芯片为并排设置的两块，或者IC芯片为并排设置的两块，且其中一块IC芯片上堆叠有第三块IC芯片，该第三块IC芯片通过键合线与有机层压基板（1）相连，该第三块IC芯片还通过键合线与第三块IC芯片下面的IC芯片相连。

2.根据权利要求1所述的高密度SIM卡封装件，其特征在于，所述有机层压基板（1）表面处理方式为一面采用铜镍金镀层、镍钯金镀层、有机保护干膜或其他表面处理方式，另一面采用硬金处理。

3.根据权利要求1所述的高密度SIM卡封装件，其特征在于，所述第三块IC芯片与其下面的IC芯片通过胶片粘贴。

4.根据权利要求3所述的高密度SIM卡封装件，其特征在于，所述胶片采用粘片胶粘片或胶膜片粘片。

5.一种权利要求1所述高密度SIM卡封装件的生产方法，其特征在于，该生产方法包括如下步骤：

步骤1：晶圆减薄/划片

当晶圆最终减薄厚度小于等于160μm时，采用规格为230mm×100m，厚度为200μm的 CP9021B-200专用减薄胶膜；

当晶圆减薄最终厚度大于等于170μm时，采用规格为230mm×100m，厚度为150μm 的BT-150E-KL减薄胶膜；

采用双刀STEP切割方法进行划片；

步骤2：表面贴片

表面贴片流程：上板→锡膏印刷→元件贴片→下板→清洗→回流焊→清洗→下板；该流程中使用HORIZON-03i印刷机、XPF-S贴片机、PYRAMAX 100N回流焊炉和BL-370水清洗机；

步骤3：上芯

采用回蚀工艺制成的2层、4层、6层或者8层高密度互联封装有机层压基板（1），使用上芯机和多顶针多步顶起系统上芯；

或者，采用回蚀工艺制成的2层、4层、6层或者8层高密度互联封装有机层压基板（1），使用上芯机和多顶针多步顶起系统上芯；然后，再使用DB-700FL上芯机进行二次上芯，在下层芯片上粘贴上层芯片，二次上芯后在150℃±5℃的温度下防分层烘烤3小时＋0.5小时；

步骤4：采用进料→腔体闭合抽真空→等离子清洗→出料的流程，将上芯后的有机层压基板（1）进行等离子清洗；

步骤5：压焊

对于单层芯片，将衬底温度调整到200℃～210℃，每条框架在轨道上停留时间控制在4分钟以内，采用W3100 OPTIMA压焊机，选用直径为Φ18μm、Φ20μm、Φ23μm的金线进行压焊；

对于堆叠芯片，将衬底温度调整到200℃～210℃，每条框架在轨道上停留时间控制在4分钟以内，采用W3100 OPTIMA压焊机，选用直径为Φ18μm、Φ20μm、Φ23μm的金线进行压焊；压焊时先对下层芯片打线，再进行上层芯片的打线；

步骤6：等离子清洗

按进料→腔体闭合抽真空→等离子清洗→出料的顺序，采用VSP-88D Prol等离子清洗机清洗压焊后的有机层压基板（1）； 

步骤7：塑封、后固化

选用CEL9750HF9ZHF塑封料，塑封步骤6等离子清洗后的基板，控制模温为175±10℃，注塑压力为1.0Ton～1.5Ton，并采用华天开发的多段注塑模型软件控制注塑过程，固化90s～150s；

步骤8：采用与普通栅格阵列封装生产相同的打印方法进行打印，得到半成品；

步骤9：在步骤8得到的半成品表面包裹FC-217M-170胶膜，然后进行切割，制得SIM卡封装件。

6.根据权利要求5所述高密度SIM封装件的生产方法，其特征在于，所述步骤1中，对于减薄后厚度在150um以内的芯片，采用防碎片、防翘曲减薄工艺控制技术，在原料晶圆厚度＋胶膜厚度－50μm厚度范围内采用粗磨，粗磨速度≤30μm/min；在最终晶圆厚度＋胶膜厚度＋30μm范围内采用细磨，细磨速度≤10μm/min。

7.根据权利要求5所述高密度SIM封装件的生产方法，其特征在于，所述步骤5中打线后线弧高度小于等于120μm。