[发明专利]发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201010564438.4 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479907A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 汪楷伦;林厚德 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构，包括发光二极管芯片，以及电性隔绝的第一导电块和第二导电块，发光二极管芯片具有极性相反的第一电极与第二电极，发光二极管芯片设置于第一导电块上，且发光二极管芯片的第一电极与第一导电块电性连接，发光二极管芯片的第二电极与第二导电块通过导线电性连接，其特征在于：第二导电块上设置至少一个凹槽，导线的一端连接发光二极管芯片的第二电极，导线的另一端连接该至少一个凹槽的底部。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极与第二电极均位于发光二极管芯片的顶面，所述第一导电块上也设置至少一个凹槽，第一电极与第一导电块通过另一导线电性连接，且该另一导线的一端连接第一电极，该另一导线的另一端连接该第一导电块上的至少一个凹槽的底部。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述至少一个凹槽的底部设置有覆盖层用于包覆导线或另一导线与至少一个凹槽的底部的连接处。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述覆盖层的材质为金属或者银胶。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述导线呈弯曲状，所述导线的最高点至第一导电块的顶面的距离大于第一导电块的顶面至所述至少一个凹槽的底部的距离，所述第一导电块的顶面至所述至少一个凹槽的底部的距离大于所述导线的最高点至发光二极管芯片的顶面的距离。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括封装层，所述封装层包覆在第一、第二导电块和发光二极管芯片上。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装层内或封装层的表面包括荧光粉，所述荧光粉包含石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉、氮氧化物基荧光粉和氮化物基荧光粉中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括设置在第一导电块和第二导电块之间的绝缘层用于电性隔绝第一、第二导电块。
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