[发明专利]一种基于SOI工艺及微组装技术的三轴电容式微加速度计

权利要求书

1.一种三轴电容式微加速度计，其特征在于：由下基片12、上基片13组成；每个基片分为内层结构和外层结构；槽1位于内层结构和外层结构之间；在上基片13中，悬架在槽1内的Z轴质量块6通过四个挠性梁5锚接在外层结构四角的锚点11上；Z轴活动极板7由Z轴质量块6四侧向外伸出；平面质量块8通过回形梁10锚接在上基片13内层结构的锚点11上；平面活动极板9由平面质量块8向外伸出；在下基片12中，Z轴固定极板2对称分布在外层结构内侧的四边，齿梳3成对上下左右对称分布在下基片12的内层结构上，平面固定极板4由齿梳3向外伸出；通过微组装技术将上基片13和下基片12对位组装，形成一个完整的检测体系。

2.如权利要求1所述的三轴电容式微加速度计，其特征是集成了三个正交的加速度检测方向。

3.如权利要求1所述的三轴电容式微加速度计，其工艺特征在于：采用SOI工艺制备，使得器件具有高灵敏度、低功耗、耐高温等优点。

4.根据权利要求1所述的三轴电容式微加速度计，其特征在于：采用微组装技术，在一个整体上实现三轴集成及微加速度计的封装。

5.如权利要求1所述的三轴电容式微加速度计，其特征在于：检测X、Y方向加速度的平面固定极板的Z向高度大于活动极板的Z向高度，使得在Z向有加速度的情况下，检测X、Y方向加速度的电容对相对面积保持不变，消除了Z轴加速度对X、Y轴加速度检测的影响。