[发明专利]一种黄绿光可强激发的钼酸盐红色荧光材料及其制备方法无效
| 申请号: | 201010564148.X | 申请日: | 2010-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN102071022A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
| 发明(设计)人: | 王达健;郑玺;毛智勇;仇坤;王鹏;蔡毅;徐所成;陆启飞;费沁妮;田华;于文惠;吕天帅 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
| 主分类号: | C09K11/78 | 分类号: | C09K11/78;H01L33/50 |
| 代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300384 天津市南*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 黄绿 光可强 激发 钼酸 红色 荧光 材料 及其 制备 方法 | ||
【技术领域】
本发明涉及光电子材料与固态照明技术领域,特别是一种黄绿光可强激发的钼酸盐红色荧光材料及其制备方法。
【背景技术】
对于目前的白光LED,其中最主流的实现方式是蓝光LED与黄色荧光粉组合发出白光,这种方式产生的白光因缺少红色成分,导致了其相关色温较高,显色指数较低,这就限制了这种LED在实际生活中的一些潜在的应用。当在其中加入红色成分以后,可明显改善白光LED的相关色温和显色指数,因此红色荧光粉在调制白光LED和改善其显色效果方面起着至关重要的作用。但目前尚缺少能够被现有蓝光和紫外LED芯片有效激发的高效红色荧光粉。目前已成熟的InGaN蓝色LED芯片的发光光谱的发射峰一般位于460±10nm,发射峰的半高宽较窄,在25nm左右;较成熟的近紫外LED芯片发射光谱峰值一般位于365~410nm。而在LED用红粉的研究中,Eu3+激活的荧光粉已经成为了一个研究的热门方向。Eu3+离子因其在红光波段有较强的本征发射光谱,成为当前红色稀土荧光粉中应用最广泛的稀土离子,而且Eu3+离子激活的荧光体的激发光谱在395nm(近紫外)和467nm(蓝光)附近有两个线性激发峰,与现阶段LED芯片的发射基本匹配,自然成为了当前LED用红色荧光粉研究的热点。而在这些Eu3+离子激活的荧光体中,钼酸盐以其优异的化学和热稳定性能,吸引了众多研究人员的注意。已见诸报道的钼酸盐基红色稀土荧光粉有CaMoO4:Eu3+(Li+)、BaMoO4:Eu3+、LaMoO9:Eu3+、(La,Gd)2(MoO4):Eu3+、AEu(MoO4)2(A=Li,Na,K,Ag)、LiY1-xEux(MoO4)等。
在Eu3+激活的红色荧光体中,荧光粉在近紫外-可见光区域的激发光谱为线状谱,属于Eu3+离子的4f-4f内部构型跃迁:396nm(5L6←7F0)、417nm(5D3←7F0)、467nm(5D2←7F0)、538nm(5D1←7F0)。在某些Eu3+激活的红色荧光体中,396nm左右的激发峰要比467nm处的激发峰要强一些,而另外的一些情况则是467nm的激发峰要比396nm的强,这两个激发峰位与近紫外、蓝光LED芯片的发射很匹配,因此目前Eu3+激活的荧光粉一般被认作为近紫外(396nm)、可见光(467nm)可激发荧光粉。为何会出现这种激发峰相对强弱的情况,其原理还不是很清楚。虽然这些激发峰与目前近紫外、蓝光LED芯片较为匹配,在理论上的配合是成功的,然而对于LED芯片来说,其发射峰位波长会受到p-n结结点温度的影响而产生发射的漂移,这就会与Eu3+激活的荧光粉的窄带激发峰产生不匹配,因此会影响LED在工作状态中的光色稳定。而目前对于Eu3+离子的538nm(5D1←7F0)处的激发峰并没有多少讨论。
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