[发明专利]一种交联阴离子膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201010563791.0 申请日: 2010-11-29
公开(公告)号: CN102479962A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 张华民;曲超;张凤祥;邱艳玲 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所;大连融科储能技术发展有限公司
主分类号: H01M8/02 分类号: H01M8/02;H01M2/16;C08J3/24;C08J5/22;C08K5/31
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 交联 阴离子 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种交联阴离子膜,其特征在于:其为含苄基卤基团的聚合物通过双胍或多胍交联而成的阴离子膜。

2.按照权利要求1所述交联阴离子膜,其特征在于:

所述用于交联反应的聚合物为含苄基卤基团的聚合物,含苄基卤基团的聚合物包括氯甲基化聚芳醚砜、氯甲基化聚砜、氯甲基化酚酞型聚芳醚砜、溴甲基化聚芳醚砜、溴甲基化聚砜、溴甲基化酚酞型聚芳醚砜、溴甲基化聚苯醚、氯甲基化聚苯醚、氯甲基化聚醚醚酮、溴甲基化聚醚醚酮、氯甲基化聚苯并咪唑、溴甲基化聚苯并咪唑、聚氯甲基化苯乙烯、含聚氯甲基化苯乙烯共聚物中的一种或二种以上;聚合物的卤甲基化程度范围为0.1~20mmolg-1

3.按照权利要求1所述交联阴离子膜,其特征在于:

所述的双胍结构为:

R1-CH2-M-CH2-R2

其中,M可A1,A1-A2,A1-A2-A3,A1-A2-A3-A4,…,A1-A2-…-A99-A100

其中A1,A2,A3,A4,…A98,A99,A100可为下述结构中的一种,

-CnH2n--O-

n=0-20;

所述的多胍结构为:

其中,M,Z,Q可为A1,A1-A2,A1-A2-A3,A1-A2-A3-A4,…,A1-A2-…-A99-A100

其中A1,A2,A3,A4,…A98,A99,A100可为下述结构中的一种,

-CnH2n-,-O-

n=0-20,h=1-1000;

R1、R2、R3、R6结构为下述结构中的一种,

其中Q1~Q10=CtH2t+1,t=1~20

R4、R5结构为下述结构中的一种或二种以上,

其中Q1~Q10=CtH2t+1,t=1~20,T-为Br-、Cl-或OH-

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