[发明专利]基板镀膜设备的气体分布系统及方法

权利要求书

1.一种基板镀膜设备的气体分布系统，其特征在于具有安装于气盒外框（11）内部的隔离板（13），喷淋板（21），外框的腔室上盖板（3），所述隔离板(13)与腔室上盖板（3）形成上层气盒（17），且与喷淋板（21）形成下层气盒（18）。

2.根据权利要求1所述之基板镀膜设备的气体分布系统，其特征在于所述气体分布系统（5）还具有上层布气管网（19）和下层布气管网（20），分别安装于上层气盒（17）和下层气盒（18）。

3.根据权利要求2所述之基板镀膜设备的气体分布系统，其特征在于所述的气体分布系统（5），隔离板（13）上设置隔离板孔阵列（35），该阵列孔的位置对应于且孔的数量少于喷淋板（21）上的喷淋板孔阵列（36），并设有贯通微管，贯通微管（32）的一端镶嵌式安装于隔离板孔阵列（35）的每个孔内，另外一端与相应位置的喷淋板（21）的喷淋板孔阵列（36）紧密连接，所述贯通微管（32）阵列贯穿下层气盒，形成上层气盒（17）向反应空间供应气体的独立通道。

4.根据权利要求2所述之基板镀膜设备的气体分布系统，其特征在于所述的气体分布系统（5），布气管网由一个主管（23）和若干支管（24）组成，主管和支管上布置一系列均匀排布的微孔（26），所述上层布气管网（19）和下层布气管网（20）的气体入口（29）连接至进气连接元件（9），两种互相反应的气体分别通过所述进气连接元件（9）进入上层布气管网（19）和下层布气管网（20）的主管（23），然后分流进入支管（24），最后由微孔（26）喷出在上层气盒（17）和下层气盒（28）中实现大面积均匀分布。

5.一种基板镀膜设备的气体分布方法，其特征在于通过气体分布系统将气体均匀分布和混合分解为两个相互不接触的阶段，保证两种以上的反应气体在气体分布系统内部进行均匀分布时不互相接触因而不发生反应。

6.根据权利要求5所述之基板镀膜设备的气体分布方法，其特征在于所说的气体分布系统包括一个隔离板和一个喷淋板；其中隔离板上有均布的小孔阵列，隔离板上有均布且大于隔离板小孔数量的小孔阵列，两板之间对应位置的小孔以贯通微管连接；结合由四周侧面板构成的外框，在上方作为背面板的腔室上盖板与中间的隔离板之间形成上层气盒，在隔离板与下方的喷淋板之间形成下层气盒；至少在一个侧面板上存在至少两个反应气体入口，分别与上层气盒和下层气盒连通。

7.根据权利要求6所述之基板镀膜设备的气体分布方法，其特征在于在背面板和隔离板的下表面安装布气管网，通过软管与各自气体入口连接。

8.根据权利要求6所述之超基板镀膜设备的气体分布方法，其特征在于将金属有机化合物反应气体通过上层气体入口通入上层气盒的布气管网，而将V、VI族氢化物反应气体通过下层气体入口通入下层气盒的布气管网；两种气体从布气管网中喷出后在各自的气盒内部实现进一步均匀分布，上、下气盒中的气体通过中间的隔离板和贯通微管隔离而不互相混合；上层气体通过贯通微管从与之相连喷淋板的小孔中喷出，下层气体直接从喷淋板的不连接贯通微管的其余小孔中喷出，两种气体在通过不同路径从喷淋板喷出后在基板表面发生混合和反应。

9.根据权利要求4所述之基板镀膜设备的气体分布方法，其特征在于各面板之间以紧固螺栓连接，喷淋板内部安装冷却水管道回路。