[发明专利]基于全低温工艺的柔性纳米点阻变存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种柔性纳米点阻变存储器，其特征在于包括：

由柔性材料组成的衬底；

位于所述衬底上的底电极；

位于所述衬底上的顶电极；

位于所述底电极与所述顶电极之间的电阻转变存储层；

其特征在于，

所述的电阻转变层包括上、下两层氧化层，以及位于所述上、下两层氧化层之间的纳米点。

2.根据权利要求1所述的柔性纳米点阻变存储器，其特征在于，所述的衬底由有机聚合物材料聚乙烯对苯二酸脂、聚酰亚胺、硅橡胶、聚对苯二甲酸乙二醇酯或硅树脂形成，或者金属或陶瓷材料形成。

3.根据权利要求1或2所述的柔性纳米点阻变存储器，其特征在于，所述的底电极由金属材料Pt、Al、Au或Pd形成。

4.根据权利要求1或2所述的柔性纳米点阻变存储器，其特征在于，所述的顶电极由金属材料Pt、Al、Ru、TiN或TaN形成。

5.根据权利要求1或2所述的柔性纳米点阻变存储器，其特征在于，所述的上、下两层氧化层由Al₂O₃、TiO₂、ZrO、Cu₂O或SrTiO₃二元或三元金属氧化物形成。

6.根据权利要求1所述的柔性纳米点阻变存储器，其特征在于，所述的纳米点由Pt或Co金属纳米粒子形成，或者由Al₂O₃或CoO金属氧化物粒子形成，或者由Si或Ge半导体粒子形成。

7.一种如权利要求1—6之一所述的柔性纳米点阻变存储器的制造方法，其特征在于具体步骤包括：

提供一个由柔性材料组成的衬底；

利用低温PVD方法形成底电极；

利用低温ALD方法形成第一层金属氧化物；

生长纳米点；

利用低温ALD方法形成第二层金属氧化物；

利用低温PVD方法形成顶电极。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述的底电极材料为Pt、Al、Au或Pd；所述的顶电极材料为Pt、Al、Ru、TiN或TaN。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述的第一层、第二层金属氧化物为Al₂O₃、TiO₂、ZrO、Cu₂O或SrTiO₃。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述的纳米点为Pt或Co金属纳米粒子，或者为Al₂O₃或CoO金属氧化物粒子，或者为Si或Ge半导体粒子。