[发明专利]被覆件及其制造方法

权利要求书

1.一种被覆件，包括镁或镁合金基体，其特征在于：该被覆件还包括依次形成于该镁或镁合金基体上的第一镁锡合金层、锡层、第二镁锡合金层、镁层Mg-N层。

2.如权利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述锡层、镁层及Mg-N层均通过磁控溅射镀膜法形成。

3.如权利要求2所述的被覆件，其特征在于：所述第一镁锡合金层由锡层与镁或镁合金基体界面处的金属锡向镁或镁合金基体扩散而形成，所述第二镁锡合金层由锡层与镁层界面处的金属锡向镁层扩散而形成。

4.如权利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述镁层的厚度为0.2～0.5μm，所述Mg-N层的厚度为0.2～2.0μm。

5.一种被覆件的制造方法，其包括如下步骤：

提供镁或镁合金基体；

以锡靶为靶材，于所述镁或镁合金基体表面磁控溅射锡层，溅射温度为100～150℃，溅射时间为10～60min；在该锡层的溅射过程中，该锡层与镁或镁合金基体界面处的金属锡向镁或镁合金基体扩散，于镁或镁合金基体与锡层之间形成第一镁锡合金层；

以镁靶为靶材，于所述锡层上磁控溅射镁层，溅射温度为100～150℃；在该镁层的溅射过程中，所述锡层与镁层界面处的金属锡向镁层扩散，于锡层与镁层之间形成第二镁锡合金层；

以镁靶为靶材，氮气为反应气体，于该镁层上磁控溅射Mg-N层。

6.如权利要求5所述的被覆件的制造方法，其特征在于：溅射所述锡层的工艺参数为：以氩气为工作气体，氩气的流量为100～300sccm，设置锡靶的电源功率为5～10kw，于镁或镁合金基体上施加-50～-300V的偏压，溅射温度为100～150℃，溅射时间为10～60min。

7.如权利要求5所述的被覆件的制造方法，其特征在于：溅射所述镁层的工艺参数为：以氩气为工作气体，氩气的流量为100～300sccm，于镁或镁合金基体上施加-50～-300V的偏压，以镁靶为靶材，其电源功率为5～10kw，溅射温度为100～150℃，溅射时间为10～30min。

8.如权利要求5所述的被覆件的制造方法，其特征在于：溅射所述Mg-N层的工艺参数为：氮气的流量为10～120sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为100～300sccm，于镁或镁合金基体上施加-50～-300V的偏压，以镁靶为靶材，其电源功率为5～10kw，溅射温度为100～150℃，溅射时间为30～120min。

9.如权利要求5所述的被覆件的制造方法，其特征在于：所述被覆件的制造方法还包括在进行磁控溅射所述锡层前对所述镁或镁合金基体进行超声波清洗及等离子清洗的步骤。