[发明专利]像素单元以及液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素单元以及液晶显示面板，尤指一种改善因栅极层和源/漏极层之间图形重合精度的误差导致亮度不均问题的像素单元以及液晶显示面板。

背景技术

功能先进的显示器渐成为现今消费电子产品的重要特色，其中液晶显示器已经逐渐成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、计算机屏幕或笔记本计算机屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示器。

随着液晶面板尺寸越来越大，出现面板发生亮度不均匀造成显示痕迹(Mura)现象的几率也逐渐升高。目前液晶生产工艺流程，业内主要分为四道掩膜以及五道掩膜工艺两种。其中四道掩膜工艺由于其生产周期短，产能利用率高已逐渐成为生产的主要方式。但是四道掩膜工艺控制相对较五道掩膜工艺复杂，目前生产良率也较难达到高水平。

目前利用四道掩膜工艺制造的液晶面板，是在玻璃基板上利用第一道掩膜对金属层曝光再蚀刻以形成开关单元的栅极(GE)层。接着在栅极层之上形成绝缘层和主动层。随后在绝缘层和主动层之上再沉积另一金属层，并以第二道掩膜对该金属层曝光并蚀刻以形成开关单元的源极/漏极(SD)层和数据线。为了提高产能利用率，目前业界主要采用曝光机混合曝光(Mix & Match)方式，也就是说，在形成栅极(GE)层和源极/漏极(SD)层时，是使用不同的曝光机分别对金属层曝光。由于工艺流程不同，利用不同曝光机曝光的GE层和SD层间的图形重合精度(G/D Overlay)容易有误差，导致图案偏移(Localshift)发生几率也升高。

请一并参阅图1、图2和图3，图1和图2分别显示形成的数据线相对于像素电极位置发生偏移的示意图，图3是结合图1和图2的等效电路图。如图1所示，对位于同一行扫描线11上的像素电极14a、14b而言，数据线12b相对于像素电极14b的距离相较于数据线12a相对于像素电极14a的距离向左偏移，所以对应于图3中的数据线12b和与像素电极14b间的耦合电容Cpd2会大于数据线12a和与像素电极14a间的耦合电容Cpd1。即使数据线12a和数据线12b馈入像素电极14a、14b的数据电压一致，实际上像素电极14b的充电电压会小于像素电极14a的充电电压，从而使得液晶电容Clc1和Clc2间的液晶偏转极性不一致，所以像素电极14b看到的灰阶会较像素电极14a看到的灰阶亮。相对地，如图2所示，对位于同一行扫描线11上的像素电极14c、14d而言，数据线12d相对于像素电极14d的距离相较于数据线12c相对于像素电极14c的距离向右偏移，所以对应于图3中的数据线12d和与像素电极14d间的耦合电容Cpd4会小于数据线12c和与像素电极14c间的耦合电容Cpd3。即使数据线12c和数据线12d馈入像素电极14c、14d的数据电压一致，实际上像素电极14d的充电电压会大于像素电极14c的充电电压，从而使得液晶电容Clc3和Clc4间的液晶偏转极性不一致，所以像素电极14d看到的灰阶会较像素电极14c看到的灰阶暗。也就是说，GE层和SD层的图形重合精度(G/D Overlay)稍有误差便会导致液晶显示面板显示亮度不均的问题。

每一像素电容Cpix需考虑以下几个电容：液晶电容Clc、像素电极与公共电压线16之间的存储电容Cs、作为开关单元的开关单元的栅极和源极之间的寄生电容Cgs、以及数据线和像素电极14间的耦合电容Cpd。如前所述，图形重合精度的误差会导致数据线和像素电极间的耦合电容Cpd发生变化。又因为每一像素电容Cpix＝Clc+Cs+Cgs+Cpd，所以数据线和像素电极间的耦合电容Cpd占像素电容Cpix的比例Q越大，则图形重合精度(G/D Overlay)导致液晶显示面板显示亮度不均越严重。因此如何改善因图形重合精度(G/DOverlay)误差导致耦合电容Cpd改变而造成亮度不均的问题，是业界努力的目标。

发明内容

根据本发明的实施例，本发明揭露一种像素单元，电性连接一开关单元。所述像素电极包含像素电极、公共电压线、第一遮光线和第二遮光线。所述公共电压线位于所述像素电极之下，用来提供一公共电压。所述第一遮光线和第二遮光线位于所述像素电极之下且连接于所述公共电压线，所述第一和第二遮光线的至少一侧呈弯曲状且与所述公共电压线为同一金属层产生。