[发明专利]在柔性衬底上沉积半导体薄膜用装置有效
| 申请号： | 201010559577.8 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102477550A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李微;李巍;赵彦民;冯金辉;杨立;乔在祥;刘兴江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | C23C18/00 | 分类号： | C23C18/00 |
| 代理公司： | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人： | 王来佳 |
| 地址： | 300381 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 衬底 沉积 半导体 薄膜 装置 | ||
1.在柔性衬底上沉积半导体薄膜用装置，包括反应槽、反应槽中的反应溶液和卷状柔性衬底，其特征在于：靠近反应槽内壁的反应槽底面上垂直固装有两个卷轴，其中一个卷轴上同轴固装有电机，反应槽内的底面上还垂直固装有不在同一条直线上、并且长度大于卷状柔性衬底宽度，至少三个以上的固定轴；卷状柔性衬底套装于未装有电机的卷轴上，卷状柔性衬底的外端头固装于带有电机的卷轴上，两个卷轴之间的柔性衬底面绕装于全部固定轴，构成端面为蛇形状的柔性衬底。
2.根据权利要求1所述的在柔性衬底上沉积半导体薄膜用装置，其特征在于：所述反应槽为带有反应槽盖的长方形盒体状，反应槽外壁为不锈钢、反应槽内壁为聚丙烯塑料，两个卷轴靠近反应槽内一长壁方向两侧，所述固定轴分为两排，分别靠近反应槽内两个长壁方向的两端内壁，两个长壁相对应的固定轴连线相对短壁之间的夹角大于0度。
3.根据权利要求1所述的在柔性衬底上沉积半导体薄膜用装置，其特征在于：所述固定轴上套有轴套。
4.根据权利要求1所述的在柔性衬底上沉积半导体薄膜用装置，其特征在于：所述卷轴材料为塑料包钢。
5.根据权利要求1所述的在柔性衬底上沉积半导体薄膜用装置，其特征在于：所述柔性衬底为金属箔或聚酰亚胺。
6.根据权利要求1所述的在柔性衬底上沉积半导体薄膜用装置，其特征在于：所述反应溶液为(CH3COO)2Cd，SC(NH2)2，CH3COONH4按比例为1∶10∶3混合，氨水调整混合溶液PH值范围在9～11。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
