[发明专利]交流发光二极管模块无效
| 申请号： | 201010559234.1 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102479795A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 曾俊龙;苏志宗;曾健文;陈柏荣 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 交流 发光二极管 模块 | ||
1.一种交流发光二极管模块，包括：
基板；
发光二极管，位于该基板上，且该发光二极管包括具有第一导电特性的第一半导体层与具有第二导电特性的第二半导体层；以及
桥式整流器，位于该基板上，电连接于该发光二极管，包括多个萧特基二极管，其中该多个萧特基二极管中的第一部分位于该第一半导体层上方，且该多个萧特基二极管中的第二部分位于该第二半导体层上方。
2.如权利要求1所述的交流发光二极管模块，其中，该发光二极管包括：
该第一半导体层，位于该基板上方；
有源层，覆盖部分该第一半导体层；
该第二半导体层，覆盖于该有源层；
电流阻挡层，覆盖部分该第二半导体层；以及
导电层，覆盖该电流阻挡层与该第二半导体层。
3.如权利要求2所述的交流发光二极管模块，其中该有源层为单异质、双异质、单量子阱、或多量子阱结构的有源层。
4.如权利要求2所述的交流发光二极管模块，其中该第一半导体层为n型氮化镓半导体层，该第二半导体层为p型氮化镓半导体层。
5.如权利要求1所述的交流发光二极管模块，其中，该多个萧特基二极管包括：
第一萧特基二极管，位于该发光二极管的该第二半导体层上；
第二萧特基二极管，位于该发光二极管的该第一半导体层上；
第三萧特基二极管，位于该发光二极管的该第二半导体层上；以及
第四萧特基二极管，位于该发光二极管的该第一半导体层上。
6.如权利要求5所述的交流发光二极管模块，其中，该桥式整流器的第一输入端电连接至该第一萧特基二极管的阳极端以及该第四萧特基二极管的阴极端；
该桥式整流器的第二输入端电连接至该第三萧特基二极管的阳极端以及该第二萧特基二极管的阴极端；
该第二半导体层电连接至该第一萧特基二极管的阴极端以及该第三萧特基二极管的阴极端；
该第一半导体层电连接至该第四萧特基二极管的阳极端以及该第二萧特基二极管的阳极端。
7.如权利要求1所述的交流发光二极管模块，其中，每一萧特基二极管包括：相互堆叠的半导体层与金属层，
其中，该半导体层为该萧特基二极管的阴极端，该金属层为该萧特基二极管阳极端。
8.如权利要求7所述的交流发光二极管模块，其中该半导体层包含SiC、TiO2、ZnO、CNT、或者Fe2O3；且
该金属层包含金、银、或铂金属。
9.如权利要求1所述的交流发光二极管模块，其中，该多个萧特基二极管包括：
堆叠的第一萧特基二极管组，位于该发光二极管的该第二半导体层上。
10.如权利要求1所述的交流发光二极管模块，其中，该多个萧特基二极管包括：
堆叠的第一萧特基二极管组，位于该发光二极管的该第一半导体层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
