[发明专利]一种清洗硅材料的方法无效
| 申请号： | 201010559200.2 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102092716A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 钱利峰;王永甫;鲁学伟 | 申请（专利权）人： | 浙江芯能光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 地址： | 314400 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种清洗硅材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)将硅材料在稀氢氟酸或稀盐酸溶液中浸泡；
b)将浸泡过的硅材料用高纯水清洗干净；
c)将硅材料干燥。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述a)之前先将硅材料用超声波清洗，擦去硅材料表面大块杂质。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述a)为将硅材料在稀氢氟酸溶液中浸泡。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述稀氢氟酸的质量体积百分比浓度为25％～35％。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述稀氢氟酸的质量体积百分比浓度为30％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c)具体为先用离心机将硅材料脱水甩干，再烘干。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述硅材料为边皮料、多晶棒、头料或尾料。
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