[发明专利]降低凸块桥接的堆叠封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路，尤其涉及降低凸块桥接的堆叠封装(package-on-package)结构。

背景技术

为了加强功能及输出/输入总量，发明了堆叠封装结构，因此多层裸片可堆叠并互相接合作为集成封装组件。虽然堆叠封装结构能节省空间，仍然有一些障碍需要克服。

图1为一传统堆叠封装结构，其包含有封装基板100和接合至该封装基板100上的裸片102。另有一封装基板104也通过焊接凸块110接合至封装基板100。此外，封装基板104还有裸片106接合其上。封装基板100可以接合至印刷电路板(未显示)上。

如图1所示，在堆叠封装结构中由于存在裸片102及可能的模塑料112，使得封装基板100和104的间距增加。因此增加了焊接凸块110的高度，并导致焊接凸块的横向尺寸变大。这样会产生许多问题。大的焊接凸块110会使得堆叠封装结构中所容纳的凸块数量变少。为了能够加入更多的焊接凸块110以符合封装需求，焊接凸块相邻的距离必须维持最小值。但是这样会让焊接凸块110间产生桥接的危险。目前已有各种针对解决此问题的方法被探讨，包括制造出高度远大其横向尺寸的加长型焊接凸块等例子。然而，这会让对工艺的精确度要求更严苛，并且使个别工艺更复杂，此外，桥接的危险仍然存在。

发明内容

为了解决现有技术的问题，依照本发明一实施例的半导体装置，包含：一封装基板，包含：一第一非回焊金属凸块，延伸至该封装基板的顶面上；一裸片，位在该封装基板上方且接合至该封装基板；一封装组件，位于该裸片上且接合至封装基板，其中该封装组件包含一延伸至该封装基板底面下的一第二非回焊金属凸块，且该封装组件大体上是择自由：一装置裸片(device die)、一额外封装基板、及其组合所组成的族群；一焊接凸块，接合该第二非回焊金属凸块至该第一非回焊金属凸块。

依照本发明另一实施例的半导体装置，包含：一封装基板，包含：一第一介电层；多个第一铜凸块，延伸至该第一介电层的顶面上；一装置裸片，在该封装基板上，且通过多个第一焊接凸块接合至该封装基板；一封装组件，位于该裸片上且接合至该封装基板，其中该封装组件包含：一第二介电层；多个第二铜凸块，延伸至第二介电层的底面下；多个第二焊接凸块，将所述多个第一铜凸块接合至多个第二铜凸块。

依照本发明又一实施例的半导体装置，包含：一封装基板，包含：一第一介电层；多个第一铜凸块，延伸至该第一介电层的顶面上；一装置裸片，在该封装基板上，且通过多个第一焊接凸块接合至该封装基板；一封装组件，位在该装置裸片上且接合至该封装基板，其中该封装组件包含：一第二介电层；多个第二铜凸块，延伸至该第二介电层的底面下；多个第二焊接凸块，将所述多个第一铜凸块接合至所述多个第二铜凸块，其中所述多个第二焊接凸块的高度比该第一介电层顶面和该第二介电层底面的间距小。

本发明的金属凸块间桥接的可能性更小且金属凸块的数量也可增加。

为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1为一传统的堆叠封装结构。

图2至图8为堆叠封装结构工艺的中间阶段剖面示意图。

图9至图11为各实施例的堆叠封装结构工艺的中间阶段剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：

10～封装基板12～连接线

14～金属垫16～金属垫

18～金属垫20～介电层

20a～介电层20的顶面24～凸块底金属层

26～掩模         28～开口

30～金属凸块     30A～金属凸块

30B～金属凸块    32～预焊凸块

40～裸片         40a～裸片40的表面

42～焊接凸块     43～底部填充料

44～接合垫       45～模塑料

47～底部填充料   50～封装组件

52～有源装置     54～封装基板

56～裸片         58～金属凸块

60～介电层       60a～介电层60的表面

62～焊接凸块     66～焊接凸块

100～封装基板    102～裸片

104～封装基板    106～裸片

110～焊接凸块    112～模塑料

H1～金属凸块30超出介电层20顶面的高度