[发明专利]整合的晶圆级别封装体

权利要求书

1.一种整合的晶圆级别封装体，其特征在于：包括：

(a)具有第一表面和对应的第二表面的第一晶圆；

(b)具有第一表面和对应的第二表面的第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆之间间隔一定距离，且第一晶圆的第二表面与第二晶圆的第一表面相面对，该两个表面之间形成第一间距；

(c)制作在第一晶圆第二表面上的第一体声波滤波器；

(d)制作在第二晶圆第一表面上的第二体声波滤波器，第一体声波滤波器与第二体声波滤波器直接面对，两者之间形成第二间距；

(e)存在于第一晶圆和第二晶圆之间的密封圈，环绕第一体声波滤波器和第二体声波滤波器形成密封，密封圈、第一体声波滤波器和第二体声波滤波器之间形成一个空腔；

(f)至少存在一个从外界可以接触到的外界电连接，该外界电连接至少可以与第一体声波滤波器和第二体声波滤波器中的一个进行电耦合。

2.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的由密封圈形成的密封是气密性密封。

3.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，还包括在至少一个外界电连接上形成的至少一个焊球。

4.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的至少存在一个的外界电连接包括与第一体声波滤波器电耦合的第一外界电连接和与第二体声波滤波器电耦合的第二外界电连接。

5.根据权利要求4所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，第一晶圆具有第一过孔，通过该过孔将第一外界电连接和第一体声波滤波器电耦合在一起，还具有第二过孔，通过该过孔将第二外界电连接和第二体声波滤波器电耦合在一起。

6.根据权利要求5所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一过孔和第二过孔的制作方法为以下方法中的至少一种，这些方法包括：干法刻蚀、湿法刻蚀、深反应离子刻蚀、超声波钻磨、钻磨、机械钻磨或者激光钻磨。

7.根据权利要求5所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一过孔和第二过孔内都填充导电材料。

8.根据权利要求5所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，还包括：

(a)形成在第一晶圆和第二晶圆之间的第一圆柱物，并且其临近第一过孔，因此有利于第一外界电连接与第一体声波滤波器之间进行电耦合，或者有利于第一外界电连接与第二体声波滤波器之间进行电耦合；和

(b)形成在第一晶圆和第二晶圆之间的第二圆柱物，并且其临近第二过孔，因此有利于第二外界电连接与第二体声波滤波器之间进行电耦合，或者有利于第二外界电连接与第一体声波滤波器之间进行电耦合。

9.根据权利要求8所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一圆柱物至少与第一体声波滤波器和第二体声波滤波器中的一个电耦合。

10.根据权利要求8所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第二圆柱物至少与第一体声波滤波器和第二体声波滤波器中的一个电耦合。

11.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，把第一晶圆和第二晶圆通过密封圈键合在一起从而形成密封，其中键合的方法是以下方法中的至少一种：阳极键合、热压键合、共晶键合、焊锡键合、玻璃粉键合、粘合键合或者聚合物键合。

12.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的密封圈包括：

(a)形成在第一晶圆第二表面上的第一金属焊点；

(b)形成在第二晶圆第一表面上的第二金属焊点；

(c)制作在第二金属焊点上的电介质圈；和

(d)环绕电介质圈的金属层，该金属层的顶面与第一金属焊点键合。

13.根据权利要求12所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一金属焊点、第二金属焊点和金属层的材料为同种材料或者不同材料。

14.根据权利要求12所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一金属焊点、第二金属焊点和金属层的材料包括铜、金、锗、铝、镍和银中的一种或两种以上的混合物，电介质圈的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、旋制氧化矽或者玻璃粉。