[发明专利]集成器件和集成器件的制造方法

权利要求书

1.一种集成器件，其在基板上装配有光学元件和电气元件，其特征在于，

所述光学元件和所述电气元件经由表面活化接合技术被接合在所述基板上所形成的且由金属材料构件的接合部。

2.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述接合部具有微凸起构造。

3.根据权利要求1或2所述的集成器件，其特征在于，所述金属材料为Au。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的集成器件，其特征在于，作为所述光学元件的激光元件被接合在所述接合部。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的集成器件，其特征在于，作为所述光学元件的波长转换元件被接合在所述接合部。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的集成器件，其特征在于，作为所述光学元件的光接收元件被接合在所述接合部。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的集成器件，其特征在于，所述基板是硅基板。

8.根据权利要求7所述的集成器件，其特征在于，在所述硅基板内，内置有集成电路。

9.一种集成器件的制造方法，该集成器件在基板上装配有光学元件和电气元件，其特征在于，

所述集成器件的制造方法包括如下工序：

接合部形成工序，其在所述基板上形成由金属材料构成的接合部；和

接合工序，其将所述光学元件和所述电气元件通过表面活化接合而接合在所述接合部。

10.根据权利要求9所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在所述接合部形成工序中，形成具有所述微凸起构造的所述接合部，

在所述接合工序中，对所述微凸起构造接合所述光学元件和所述电气元件。

11.根据权利要求9或10所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在所述接合部形成工序中，形成由Au构成的所述接合部。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，所述接合部形成工序具有：

在所述基板上形成金属膜的金属膜形成步骤；

在所述金属膜上形成第一抗蚀剂的第一抗蚀剂形成步骤；

将形成有所述第一抗蚀剂的金属膜进行蚀刻，形成布线图案和作为所述接合部的金属图案的第一蚀刻步骤；

在所述金属图案上形成第二抗蚀剂的第二抗蚀剂形成步骤；

将形成有所述第二抗蚀剂的金属图案进行半蚀刻，形成接合用微凸起的第二蚀刻步骤。

13.根据权利要求9～12中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在所述接合工序中，将作为所述光学元件的激光元件接合在所述接合部。

14.根据权利要求9～13中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在所述接合工序中，将作为所述光学元件的波长转换元件接合在所述接合部。

15.根据权利要求9～14中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在所述接合工序中，将作为所述光学元件的光接收元件接合在所述接合部。

16.根据权利要求9～15中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，作为所述基板使用硅基板。

17.根据权利要求9～16中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，还具有如下工序：

集成电路形成工序，其在所述硅基板内形成集成电路；

平坦化工序，其使形成有所述集成电路的所述硅基板平坦化。