[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：

(a)使用添加有铊的基于非氰的Au电镀溶液，通过电解电镀，在半导体晶片的第一主表面之上形成使用Au作为主要成分的基于Au的凸块电极，

其中所述步骤(a)包括以下子步骤：

(a1)开始向所述Au电镀溶液中施加第一电镀电流；

(a2)在所述子步骤(a1)之后，完成所述第一电镀电流的施加；以及

(a3)在所述子步骤(a1)和(a2)期间的任何时段，通过监测向所述Au电镀溶液施加的电压来监测所述Au电镀溶液中的铊添加数量。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中所述监测是监测在所述施加的电压与设置的参考最大电压之间的关系。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中所述Au电镀溶液是基于金亚硫酸盐的电镀溶液。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中待监测的所述施加的电压是所述时段内的峰值电压。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路器件的制造方法，还包括以下步骤：

(b)基于所述子步骤(a3)的结果，在所述Au电镀溶液中添加铊或者铊化合物。

6.根据权利要求4所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中所述步骤(a)还包括以下子步骤：

(a4)基于所述子步骤(a3)的结果，在所述Au电镀溶液中添加铊或者铊化合物。

7.根据权利要求5所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中所述铊化合物是铊甲酸盐、铊亚硫酸盐、铊硝酸盐或者铊氧化物。

8.根据权利要求6所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中所述步骤(a)还包括以下子步骤：

(a5)在所述子步骤(a1)之前，向所述Au电镀溶液中施加比所述第一电镀电流更低的第二电镀电流。

9.根据权利要求4所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中所述半导体集成电路器件具有LCD驱动器电路。

10.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：

(a)使用添加有铊的基于非氰的Au电镀溶液，通过电解电镀，在半导体晶片的第一主表面之上形成使用Au作为主要成分的基于Au的凸块电极，

其中所述步骤(a)包括以下子步骤：

(a1)开始向所述Au电镀溶液中施加第一电镀电流；

(a2)在所述子步骤(a1)之后，完成所述第一电镀电流的施加；

(a3)在所述子步骤(a1)与(a2)之间的任何时段，监测向所述Au电镀溶液施加的电压；以及

(a4)在所述子步骤(a1)之前，设置用于监测所述Au电镀溶液中的铊添加数量的参考最大电压。

11.根据权利要求10所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中所述监测是监测在所述施加的电压与所述参考最大电压之间的关系。

12.根据权利要求11所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中所述Au电镀溶液是基于金亚硫酸盐的电镀溶液。

13.根据权利要求12所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中待监测的所述施加的电压是所述时段内的峰值电压。

14.根据权利要求13所述的半导体集成电路器件的制造方法，还包括以下步骤：

(b)基于所述子步骤(a3)的结果，在所述Au电镀溶液中添加铊或者铊化合物。

15.根据权利要求13所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中所述步骤(a)还包括以下子步骤：

(a5)基于所述子步骤(a3)的结果，在所述Au电镀溶液中添加铊或者铊化合物。

16.根据权利要求14所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中所述铊化合物是铊甲酸盐、铊亚硫酸盐、铊硝酸盐或者铊氧化物。