[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010556614.X | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102097460A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李宗霖;余绍铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
至少三个有源区，其中该至少三个有源区彼此紧邻，其中该至少三个有源区的纵轴相互平行，其中每一有源区各自包含一边缘与该有源区的纵轴相交，且该至少三个有源区的边缘形成一弧形。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该弧形为凸状。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该弧形为凹状。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包含一栅极电极及一栅极介电层，其中该栅极电极位于该至少三个有源区的至少一有源区上，该栅极介电层位于该栅极电极上，且该至少三个有源区的其中之一、该栅极介电层及该栅极电极形成一鳍式场效应晶体管。
5.一种半导体装置的制造方法，包含：
提供一半导体基材；
形成一光致抗蚀剂层于该半导体基材上；
图案化该半导体基材上的该光致抗蚀剂层，以使用一光掩模来暴露出该半导体基材的一暴露部分，其中该光掩模包含一含曲线边缘的透明区域，且其中该曲线边缘定义该半导体基材的该暴露区域的一边缘；以及
蚀刻该半导体基材的该暴露部分，以使该半导体基材的该暴露部分的该边缘定义有源区的边缘，其中每一有源区包含一与所对应的边缘相交的纵长。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，还包含在进行图案化之前，形成含有有源区的条状物于半导体基材中。
7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中该有源区为鳍式有源区。
8.一种半导体装置的制造方法，包含：
提供一半导体基材；
在该半导体基材上形成多个鳍；以及
图案化所述多个鳍以使每一鳍皆包含一边缘，且所述多个鳍的所述多个边缘形成一弧形。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中该弧形为凸状。
10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中该弧形为凹状。
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