[发明专利]全固态聚合物电解质膜制备方法及所制备的电解质膜

权利要求书

1.一种全固态聚合物电解质膜的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

将浓度范围为3g/L -50g/L的含磺酸根离子的液晶聚合物E或F溶于N-甲基吡咯烷酮、乙腈中，75℃-80℃恒温搅拌至完全溶解为溶液G；

将浓度范围为10g/L - 20g/L的PEO溶于水、乙腈中搅拌至完全溶解为H；

将浓度范围为10g/L -13g/L的PMMA和浓度为9g/L-10g/L的LiClO₄溶于丙酮溶液中搅拌至完全溶解为溶液I；

将G、H、I三种溶液按体积比5:1:6混合或G、I三种溶液按体积比5:6混合搅拌均匀，浇铸在模具中，在干燥空气条件下挥发12h成膜或使用旋转涂膜机制膜，然后在75-80℃条件下真空干燥72h，得到含液晶离聚物和LiClO₄的PEO/PMMA复合固态聚合物电解质膜；

其中PEO的分子量为10-60万，PMMA的粘均分子量为10-50万。

2.根据权利要求1所述一种全固态聚合物电解质膜的制备方法，其特征在于：所述模具为聚四氟乙烯模具。

3.根据权利要求1所述一种全固态聚合物电解质膜的制备方法，其特征在于：G、H、I混合后的粘度为10-300dl/g，G、I混合后的粘度为1-250dl/g。

4.根据权利要求1所述一种全固态聚合物电解质膜的制备方法，其特征在于：所述含磺酸根离子的液晶聚合物E的结构式为：

所述含磺酸根离子的液晶聚合物F的结构式为：

。

5.根据权利要求4所述一种全固态聚合物电解质膜的制备方法，其特征在于：所述含磺酸根离子的液晶聚合物E由单体A、B、C合成，F由单体A、B、D合成，单体A、B、C、D的结构式如下：

其中单体B中的n = 6，8，10。

6.一种如权利要求1-5中任一项方法制得的电解质膜，其特征在于：其包含下述式表示的液晶聚合物E

  

和下述式表示的液晶聚合物F

 。

7.根据权利要求6所述电解质膜，其特征在于：所述电解质膜的膜厚度范围为：0.2mm-0.5mm。

8.根据权利要求6所述电解质膜，其特征在于：所述电解质膜的室温离子电导率在10^-3S/cm以上。