[发明专利]肖特基变容管的大信号等效电路模型及其提参方法有效
| 申请号： | 201010556024.7 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102479263A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 董军荣;黄杰;田超;杨浩;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L29/92 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基变容管 信号 等效电路 模型 及其 方法 | ||
1.一种肖特基变容管的大信号等效电路模型，其特征在于，所述大信号模型包括阳极PAD对地的寄生电容(20)、引线寄生电感(21)、串联寄生电阻(22)、结区非线性电容(23)、结区非线性电阻(24)和阴极PAD对地的寄生电容(25)；所述阳极PAD对地的寄生电容(20)和引线寄生电感(21)相串联，所述引线寄生电感(21)和串联寄生电阻(22)相串联，所述结区非线性电阻(24)和结区非线性电容(23)相并联后，再串联在串联寄生电阻(22)和阴极PAD对地的寄生电容(25)之间。
2.根据权利要求1所述的肖特基变容管的大信号等效电路模型，其特征在于，所述结区非线性电容(23)和结区非线性电阻(24)满足如下关系式：
其中，Rj为结区非线性电阻，Cj为结区非线性电容，Is是肖特基变容管的反向饱和电流，n是肖特基变容管电流的非理想因子，Cj0是零偏压下的结电容，Vbi是内建电势，M为电容梯度因子，K为波尔兹曼常数，T为绝对温度，q为电子电量，V代表外加电压。
3.一种肖特基变容管的大信号等效电路模型的提参方法，其特征在于，所述提参方法包括：
步骤A：对肖特基变容管进行直流测试，得到肖特基变容管的I-V特性曲线，并通过I-V特性曲线得到结区非线性电阻(24)；
步骤B：在小于肖特基变容管开启电压且大于反向击穿电压的范围内，任取一个电压点，测得此电压下肖特基变容管的S参数；
步骤C：利用步骤B测得的S参数提取阳极PAD对地的寄生电容(20)和阴极PAD对地的寄生电容(25)；
步骤D：测量从肖特基变容管的开启电压至反向击穿电压偏压范围内不同偏压下的S参数；
步骤E：利用步骤D测得的不同偏压下的S参数，提取得到结区非线性电容(23)；
步骤F：测量肖特基变容管在正向大电流情况下的S参数，利用测得的S参数和直流测试结果提取引线寄生电感(21)和串联寄生电阻(22)。
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