[发明专利]具有轨到轨电压调节范围的高速高带宽VCO延迟单元有效

专利信息
申请号: 201010555884.9 申请日: 2010-11-19
公开(公告)号: CN102064824A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 郭斌;陈怒兴;陈宝民;蒋仁杰;石大勇;李俊丰;谭晓强 申请(专利权)人: 长沙景嘉微电子有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410205 湖南省长沙市河西*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 有轨 电压 调节 范围 高速 带宽 vco 延迟 单元
【权利要求书】:

1.一种应用于高速压控振荡器的具有轨到轨电压调节范围的高速高带宽延迟单元电路,其特征在于:它包括第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M7)、第四NMOS管(M8)、第一PMOS管(M3)、第二PMOS管(M4)、第三PMOS管(M5)、第四PMOS管(M6)、第五PMOS管(M9)、第六PMOS管(M10),其中第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)形成差分对管,其栅极分别接差分输入(IN+)和(IN-),漏极分别接差分输出节点(OUT-)和(OUT+),源极都接地(GND),第三NMOS管(M7)和第四NMOS管(M8)的栅极都接控制电压(Vcont),漏极都接电源(VDD),源极分别接第五PMOS管(M9)和第六PMOS管(M10)的栅极,第一PMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)接在差分输出节点(OUT-)、(OUT+)和电源(VDD)之间,栅极都接控制电压(Vcont),交叉耦合的第三PMOS管(M5)和第四PMOS管(M6)漏极分别接差分输出(OUT-)和(OUT+),栅极分别接差分输出(OUT+)和(OUT-),源极都接电源(VDD),第五PMOS管(M9)和第六PMOS管(M10)接在差分输出节点(OUT-)、(OUT+)和电源(VDD)之间,栅极分别接第三NMOS管(M7)和第四NMOS管(M8)的源极,第一PMOS管(M3)、第三PMOS管(M5)、第三NMOS(M7)和第五PMOS(M9)联合组成延迟单元左半支路的复合负载,第二PMOS管(M4)、第四PMOS管(M6)、第四NMOS(M8)和第六PMOS(M10)联合组成右半支路的复合负载。

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