[发明专利]一种对羟基苯乙酸的电解合成方法无效
| 申请号： | 201010553867.1 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101979714A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李建生;崔风歧 | 申请（专利权）人： | 天津市职业大学 |
| 主分类号： | C25B3/04 | 分类号： | C25B3/04;C07C59/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300410*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 羟基 苯乙酸 电解 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种对羟基扁桃酸还原合成对羟基苯乙酸的方法，其特征在于采用隔膜电解槽，以预镀高析氢电位金属铅、锡或锌的铜片作阴极，铅、铅合金或钛基体二氧化铅电极作阳极，离子交换膜作隔膜，碱溶液加入对羟基扁桃酸钠和添加碱金属硼酸盐作阴极液，控制阴极液温度和阴极电流密度进行电解还原，电解完成液经酸化、浓缩、冷却、结晶、分离得到对羟基苯乙酸产品。
2.根据权利要求1所述方法，其特征在于碱性阴极液是0.5-2mol/L氢氧化钠溶液，其中对羟基扁桃酸钠浓度0.2-2.0mol/L。
3.根据权利要求1所述方法，其特征在于碱性阴极液中添加碱金属硼酸盐是硼酸、偏硼酸和硼氢化物的锂、钠或钾盐。
4.根据权利要求1所述方法，其特征在于阴极液中添加碱金属硼酸盐浓度为0.01-0.2mol/L。
5.根据权利要求1所述方法，其特征在于优选阴极液温度30-90℃。
6.根据权利要求1所述方法，其特征在于优选阴极电流密度为100-1000A/m2。
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